瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 为 SOT23-3 封装 P 沟道增强型场效应晶体管，依托沟槽 MOS 工艺实现高压开关导通功能，器件额定漏源耐压 VDS=-100V，常温 25℃下连续漏极额定电流 ID=-2A，属于中小功率高压贴片开关器件。该器件栅源阈值电压区间 - 1V~-3V，在 VGS=-10V、ID=-2.5A 工况下典型导通电阻 RDS (ON)=270mΩ，VGS=-4.5V、ID=-1.6A 时典型导通电阻 290mΩ，低导通损耗可减小回路稳态发热；极限电气规范统一，栅源耐受电压 ±20V，25℃外壳条件下最大耗散功率 25W，100℃外壳时功率降至 1W，瞬时 300μs 脉冲电流可达 - 6A，最高允许结温 150℃，存储温域覆盖 - 55℃~150℃；静态漏电控制优异，零栅压下 80V 反向漏电流 IDSS 最大值仅 1μA，85℃高温环境下最大 30μA，栅极漏电流 IGSS 控制在 ±100nA 以内，器件内置源漏寄生二极管，1A 电流下正向压降典型 0.75V，反向恢复时间 30ns、恢复电荷 33nA，适合中速开关回路，全参数均以 25℃环境为标定基准，宽温电路可依托温度相关特性曲线完成温升与导通损耗量化校核。
瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 采用标准化 SOT23-3 贴片塑封结构，封装具备规范毫米级尺寸公差，器件本体长宽厚度、引脚间距适配通用 SMT 焊盘，全自动贴片设备无需定制工装即可完成回流焊批量生产，封装引脚定义标准，自上而下俯视引脚依次为栅极 G、源极 S、漏极 D，PCB 布局时可快速区分三极避免焊接错配。封装采用无铅环保改性环氧胶体，满足 RoHS 合规要求，管芯表面钝化工艺降低高压下表面漏电风险，封装热阻参数分层明确，10 秒短时脉冲工况热阻 50℃/W，稳态连续工作热阻 75℃/W，配套完整标准化特性曲线，包含功率损耗温度曲线、输出特性曲线、导通电阻随电流 / 栅压变化曲线、输入输出反向电容曲线、栅电荷曲线、安全工作区曲线等全套仿真数据；器件输入电容 Ciss 典型 1050pF、输出电容 65pF、反向传输电容 35pF，开关时序指标标准化，典型开通延迟 10ns、上升 5ns，关断延迟 68ns、下降 58ns，全部动态参数由设计保证，无需全产线抽检，硬件工程师可依托全套曲线完成开关损耗、EMI、温升仿真设计，封装推荐标准 0.8mm 方形独立焊盘布局，小尺寸 PCB 亦可通过加大漏极覆铜面积提升散热能力。
瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 依靠栅极负压实现沟道导通，仅当 VGS 低于 - 1V 阈值电压时源漏形成导电通路，栅极零电位或正向偏置时器件可靠关断，关断状态漏源耐受 100V 高压无明显漏电，核心电路应用拓扑分为高压负载高边开关、DC-DC 转换功率支路、电池充放电保护、继电器驱动四类；高边开关场景下器件串联于高压输入与负载之间，栅极搭配下拉电阻即可由低压 MCU 电平直接控制通断，无需电平转换电路；DC-DC 升降压回路中可作为同步整流或输入防反开关，寄生二极管可承担续流功能，30ns 快速反向恢复特性降低开关尖峰与电磁干扰；电池保护电路中并联功率回路，过流、过压时快速切断高压供电，100V 耐压适配多串锂电、小型铅酸电池模组；电路设计阶段需依据安全工作区曲线限制连续电流与脉冲电流边界，稳态应用将功率损耗控制在额定 70% 以内，脉冲回路合理匹配栅极限流电阻 6Ω 抑制栅极振荡，同步优化漏极 RC 吸收回路削弱高压尖峰，PCB 漏极区域增大铜箔面积降低热阻，避免高温导致导通电阻抬升、器件老化加速。
瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 作为 100V 耐压 SOT23 小型高压 P 沟道开关器件，兼顾微型封装、低导通损耗、中速开关、宽温可靠特性，适配各类高压小型化电子产品电源管理电路开发，核心应用场景首先覆盖桌面设备辅助电源、便携式高压检测仪器，包含笔记本副板 DC-DC 转换、户外采集设备高压负载开关、多串锂电池充放电保护板；其次广泛用于迷你工控模块、小型逆变器、隔离驱动小板，为高压信号继电器、模拟变送器提供高边通断控制，100V 耐压适配工业 24V、48V 低压总线回路；各类户外物联网无线监测终端大量选用该器件，依托 SOT23 小体积缩减 PCB 占用面积，适配多节锂电长效供电高压采集设备；除此之外在小型安防摄像头电源、车载低压控制模块、手持测试仪表中，可实现输入防反接、负载通断控制、次级功率切换功能，针对 100V 以内中小功率开关需求提供标准化分立方案，同时可与瑞斯特全系列 N/P 沟道 SOT23 MOS 管配套选型，高低压开关器件一体化搭配，精简硬件 BOM 清单，降低贴片生产物料仓储与管控成本。
