瑞斯特 (RST) RST10100C 为 TO-251 小型直插封装 10A/100V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内部设置应力保护环结构，优化芯片边缘电场分布，缓解中高压工况下电场集中问题，提升器件高压耐受稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配小型中高压高频开关回路。核心电气参数依照规格文件标定，总平均整流电流 10A，单支路额定电流 5A，25℃、IC=0.5mA 条件下最小击穿电压 100V；25℃、IF=5A 时典型正向压降 0.76V，最大限值 0.81V；VR=100V、TJ=25℃最大反向漏电流 0.05mA，125℃高温环境漏电流升至 6mA，呈现肖特基器件漏电随温度升高同步增大的典型特性。8.3ms 单半正弦波负载下非重复峰值浪涌电流可达 150A，可承受设备上电瞬时电流冲击；器件工作与存储温度区间为 - 55℃至 + 175℃，引脚可承受 260℃/10 秒焊接温度，TO-251 封装采用 70pcs 管装，适配半自动插件产线，同系列配套 TO-252 贴片封装 RST10100D，全系无铅封装，满足 RoHS 环保规范。
从热特性与高频性能层面分析，RST10100C 允许正向电流随外壳温度升高线性降额，壳温上升会小幅降低同等电流下正向导通压降，但反向漏电流会明显增大，TO-251 小型直插封装散热基底面积有限，电路设计时需搭配 PCB 铜箔辅助散热，保障长时间满载运行。器件存储电荷极低，高频切换过程反向电流尖峰更小，能够降低整机 EMI 干扰，简化外围缓冲吸收电路；对比 45V 低压规格肖特基，100V 耐压等级拥有更大电压安全裕量，可抵御 48V、72V 母线负载突变产生的瞬时电压尖峰，兼顾高频转换效率与设备长期运行可靠性。
电路应用层面，RST10100C 主要承担中高压高频次级整流、感性负载续流、中高压母线防反接保护三类核心电路功能，TO-251 小型直插封装体积小巧，适合空间受限的中小功率设备，可替代多颗小电流二极管并联方案，精简 PCB 布线结构，减少整机物料数量与插件装配工序。
该器件适配 100kHz~1MHz 主流中高压中小功率高频拓扑，应用场景覆盖工业小型中高压开关电源、中压 DC-DC 变换器、小型储能充放电模块、户用微型光伏辅助电源；小型伺服控制板、电机驱动回路内部用作电感续流器件，快速泄放断电反向电动势，保护中压功率 MOS 管；同时可用于 48V 车载电源、小型桌面中压 UPS、中大功率 LED 驱动电源，能够有效降低回路导通损耗，缩减整机散热结构体积，适配 100V 及以下中高压小型功率设备。
