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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特 (RST) RST2045D平面肖特基二极管技术解析

型号： RST2045D
品牌： (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

RST2045D.pdf

--- 产品详情 ---

瑞斯特 (RST) RST2045D 为 TO-252 贴片封装 20A/45V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内部集成应力保护环结构，优化芯片边缘电场分布，改善低压工况下电场集中问题，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配小型贴片式低压高频开关功率回路。核心电气参数参照规格文件，总平均整流电流 20A，单支路额定电流 10A，25℃、IC=0.5mA 条件下最小击穿电压 45V；25℃、IF=10A 时典型正向压降 0.58V，最大限值 0.63V；VR=45V、TJ=25℃最大反向漏电流 0.05mA，125℃高温环境漏电流升至 6mA，符合肖特基二极管漏电流随温度升高同步增大的固有特性。8.3ms 单半正弦波负载下非重复峰值浪涌电流可达 200A，可承受设备上电瞬时大电流冲击；器件工作与存储温度区间为 - 55℃至 + 175℃，引脚可承受 260℃/10 秒焊接温度，TO-252 贴片采用 2500pcs 卷带包装，适配 SMT 全自动贴片产线，同系列配套 TO-251 直插封装 RST2045C，全系无铅封装，满足 RoHS 环保规范。

从热特性与高频性能层面分析，RST2045D 允许正向电流随外壳温度升高线性降额，壳温上升会小幅降低同等电流下正向导通压降，但反向漏电流会明显增大，小型贴片封装散热面积有限，电路设计时需依托 PCB 大面积铺铜辅助散热，保障长期满载稳定运行。器件存储电荷极低，高频切换过程反向电流尖峰更小，能够降低整机 EMI 干扰，简化外围简易缓冲吸收电路；对比 60V 及以上高压规格肖特基，45V 低压等级正向导通损耗更低，针对 12V、24V 低压母线预留充足电压裕量，可抵御负载突变产生的瞬时电压尖峰，兼顾转换效率与小型设备长期运行可靠性。

电路应用层面，RST2045D 主要承担低压高频次级同步整流、小型电感负载续流、低压电源母线防反接保护三类核心功能，TO-252 贴片封装体积紧凑，适配轻薄化、高集成中小功率设备设计，可替代多颗微型肖特基并联方案，精简 PCB 布线结构，减少整机物料数量与贴片装配工序。

该器件适配 100kHz~1MHz 主流低压中小功率高频拓扑，应用场景覆盖紧凑型工业低压开关电源、低压大功率 DC-DC 变换器、便携储能锂电池充放电模块、微型光伏辅助电源；小型伺服控制板、电机驱动回路内部用作电感续流器件，快速泄放断电产生的反向电动势，保护后端低压功率 MOS 管；同时可用于紧凑型车载低压电源、迷你桌面 UPS、大功率 LED 驱动电源，能够有效降低低压回路导通损耗，缩减整机散热结构体积，适配 45V 及以下低压小型化功率设备。

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