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瑞斯特半导体

RSTTEK瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。

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瑞斯特 (RST) MBR60150W 平面肖特基二极管技术解析

型号: MBR60150W
品牌: (瑞斯特)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

瑞斯特 (RST) MBR60150W 为 TO-247S 大功率直插封装 60A/150V 共阴极双路平面肖特基整流器件,采用硅外延平面芯片工艺,芯片内部集成应力保护环结构,优化芯片边缘电场分布,缓解高压工况下电场集中问题,提升器件长期高压运行稳定性。器件依托多数载流子完成导电,不存在少数载流子存储电荷,反向恢复速度快,适配大功率高频开关功率回路。核心电气参数依据规格文件标定,总平均整流电流 60A,单支路额定电流 30A,25℃、IC=0.5mA 条件下最小击穿电压 150V;25℃、IF=30A 时典型正向压降 0.88V,最大限值 0.92V;VR=150V、TJ=25℃最大反向漏电流 0.05mA,125℃高温工况漏电流升至 6mA,呈现肖特基二极管漏电随温度升高同步增大的固有特性。8.3ms 单半正弦波负载下非重复峰值浪涌电流可达 500A,瞬时电流冲击耐受能力突出;器件工作与存储温度区间为 - 55℃至 + 175℃,引脚可承受 260℃/10 秒焊接温度,TO-247S 封装采用 30pcs 管装,适配大功率设备插件自动化产线,器件采用无铅封装,符合 RoHS 环保规范。

从热特性与高频性能层面分析,MBR60150W 允许正向电流随外壳温度升高线性降额,壳温上升会小幅降低同等电流下正向导通压降,但反向漏电流会明显增大,TO-247S 封装散热基底面积更大,可搭配大功率散热器实现高效热传导,适配长期满载大功率运行场景。器件存储电荷极低,高频切换过程反向电流尖峰更小,可降低整机 EMI 干扰,简化外围缓冲吸收电路设计;相较于 100V 耐压同规格肖特基,150V 耐压等级预留更大电压安全裕量,能够有效抑制电网波动、负载突变产生的瞬时电压尖峰,降低器件反向击穿失效概率,兼顾高频工作效率与大功率设备长期运行可靠性。

电路应用层面,MBR60150W 主要承担高频次级同步整流、感性负载续流、电源母线防反接保护三类核心功能,TO-247S 封装散热能力优于 TO-220 系列封装,适合大功率、高发热设备,可替代多颗小电流肖特基并联方案,精简 PCB 布线结构,减少整机物料数量与装配工序。

该器件适配 100kHz~1MHz 主流高频大功率功率拓扑,应用场景覆盖大功率高压工业开关电源、高压大功率 DC-DC 变换器、大容量储能锂电池充电机、大功率光伏逆变器;大功率伺服驱动器、工业变频器内部可作为电感续流器件,快速泄放电机断电产生的反向电动势,保护后端大功率功率开关器件;同时可用于高压大功率车载电源、工业大功率 UPS 不间断电源、大功率工业焊机辅助电源、高压大功率 LED 驱动电源,能够有效降低电路导通损耗,适配 150V 及以下高压大功率母线设备。
 

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