碳化硅功率器件技术可靠性！
前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅....
碳化硅和氮化镓的特性、优势及应用范围
与硅相比，SiC和GaN（不仅作为宽带隙半导体，而且作为材料本身）在品质因数（εμeEc3）方面显示....
碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）
一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化....
氮化镓的优势特点！
传统上，半导体生产中最常用的材料是硅（Si），因为它丰富且价格合理。但是，半导体制造商可以使用许多其....
氮化镓半导体的兴起！
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快....
第三代化合物半导体材料有利于5G基站的应用
与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（Ga....
SiC功率器件的主要特点
基于以日本、美国和欧洲为中心对生长、材料特性和器件加工技术的广泛研究，SiC SBD和金属氧化物半导....
AFE拓扑的应用优势
针对任何应用领域的工程师都加入了他们对效率、功率密度和成本的担忧。而且，即使他们还没有用它进行设计....
