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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.5.14 光刻胶配套试剂∈《集成电路产业全书》2022-02-19 01:06

    Ancillaries撰稿人:北京科华微电子材料有限公司陈昕http://www.kempur.com审稿人:复旦大学邓海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提
    光刻胶 576浏览量
  • 8.1.2 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-18 01:12

    8.1.2电流-电压关系8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.1夹断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管7.3.4电流-电压关系∈
    晶体管 775浏览量
  • 9.5.12 光敏聚酰亚胺PSPI∈《集成电路产业全书》2022-02-18 01:10

    PhotosensitivePolyimid撰稿人:中国科学院化学研究所杨士勇http://www.iccas.ac.cn审稿人:复旦大学邓海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动
    集成电路 966浏览量
  • 8.1.3 饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-18 01:08

    8.1.3饱和漏极电压8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.2电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.1.1夹断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件7.4结势垒肖特基(J
    电压 978浏览量
  • 9.5.13 抗反射涂层ARC∈《集成电路产业全书》2022-02-18 01:06

    AntireflectionCoating撰稿人:北京科华微电子材料有限公司陈昕http://www.kempur.com审稿人:复旦大学邓海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动
    集成电路 791浏览量
  • 8.1 结型场效应晶体管(JFET)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-16 01:09

    8.1.1夹断电压8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3
    晶体管 952浏览量
  • 9.5.11 新型光刻胶材料∈《集成电路产业全书》2022-02-16 01:08

    点击上方蓝字关注我们NextGenerationLithographyMaterials撰稿人:北京科华微电子材料有限公司陈昕审稿人:复旦大学邓海光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸
    集成电路 632浏览量
  • 7.4 结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-15 01:07

    7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.2“i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原
    二极管 碳化硅 5338浏览量
  • 9.5.10 极紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》2022-02-15 01:06

    点击上方蓝字关注我们EUVPhotoresist撰稿人:北京科华微电子材料有限公司陈昕http://www.kempur.com审稿人:复旦大学邓海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸
    集成电路 光刻胶 1038浏览量
  • 7.3.2 “i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-14 01:15

    7.3.2“i”区中的载流子浓度7.3pn与pin结型二极管第7章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:7.3.1大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理
    SiC 962浏览量