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9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成电路产业全书》2022-01-26 01:41
点击上方蓝字关注我们CompoundQuantumWellMaterials撰稿人：北京大学王茂俊https://www.pku.edu.cn/审稿人：北京大学康宁9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本集成电路 652浏览量 -
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 01:38
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理SiC 1606浏览量 -
9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成电路产业全书》2022-01-25 01:37
9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆集成电路 703浏览量 -
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 01:19
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、SiC 2398浏览量 -
9.4.12 碳化硅单晶∈《集成电路产业全书》2022-01-24 01:18
9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴集成电路 853浏览量 -
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-23 01:25
6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化SiC 1231浏览量 -
9.4.11 蓝宝石晶体与衬底材料∈《集成电路产业全书》2022-01-23 01:24
9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装集成电路 489浏览量 -
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-22 01:32
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术SiC 1643浏览量 -
9.4.10 氮化镓薄膜∈《集成电路产业全书》2022-01-22 01:31
9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大集成电路 750浏览量 -
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 01:24
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、SiC 1551浏览量