企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

364 内容数 46w+ 浏览量 96 粉丝

深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.4.4 砷化镓热处理和晶片加工∈《集成电路产业全书》2022-01-13 01:06

    9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(
    集成电路 699浏览量
  • 6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-12 01:08

    6.3.5.1界面态分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技
    SiC 1653浏览量
  • 9.4.3 砷化镓单晶的制备∈《集成电路产业全书》2022-01-12 01:06

    9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.
    集成电路 812浏览量
  • 6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-11 01:18

    6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理—
    SiC 1147浏览量
  • 9.4.2 集成电路对化合物半导体材料的要求∈《集成电路产业全书》2022-01-11 01:17

    9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823
    集成电路 1061浏览量
  • 6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-10 01:18

    6.3.4.7电导法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Ter
    SiC 951浏览量
  • 9.4.1 化合物半导体材料∈《集成电路产业全书》2022-01-10 01:16

    9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高
    集成电路 703浏览量
  • 6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-09 01:19

    6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.
    SiC 1263浏览量
  • 9.3.14 诱生微缺陷∈《集成电路产业全书》2022-01-09 01:18

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供SiC晶圆、GaN基
    集成电路 756浏览量
  • 6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-08 01:24

    6.3.4.5高低频方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3
    SiC 892浏览量