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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 8.2.10.3 4H-SiC反型层迁移率的实验结果∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-05 01:07

    8.2.10.34H-SiC反型层迁移率的实验结果8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.9阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和
    SiC 1186浏览量
  • 9.6.14 贵金属靶∈《集成电路产业全书》2022-03-05 01:06

    PreciousMetalTarget撰稿人:宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军http://www.kfmic.com审稿人:浙江大学马向阳https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切
    集成电路 548浏览量
  • 8.2.10.2 反型层迁移率的器件相关定义∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-04 01:07

    8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.9阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基
    MOSFET 1138浏览量
  • 9.6.13 铜靶∈《集成电路产业全书》2022-03-04 01:06

    CopperTarget撰稿人:宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军http://www.kfmic.com审稿人:浙江大学马向阳https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生
    集成电路 637浏览量
  • 8.2.10.1 影响反型层迁移率的机理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-03 01:09

    8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.9阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.
    SiC 1256浏览量
  • 9.6.12 钽靶∈《集成电路产业全书》2022-03-03 01:07

    TitaniumTarget撰稿人:宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军http://www.kfmic.com审稿人:浙江大学马向阳https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提
    集成电路 648浏览量
  • 国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN6系列2022-03-02 01:08

    EQ6GL9可替换器件XILINX/赛灵思:XC6SLX4、XC6SLX9Altera:EP4CE6、EP4CE10Lattice:iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型号器件详情链接:FPGA.EQ6GL9小型低功耗百万门级FPGA替换XILINX/赛灵思:XC6SLX4、XC6S
    FPGA 10918浏览量
  • 8.2.9 阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-02 01:07

    8.2.9阈值电压控制8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.7DMOSFET的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.6功率MOSFET的实施:DMO
    电压 1465浏览量
  • 9.6.11 钛靶∈《集成电路产业全书》2022-03-02 01:06

    TitaniumTarget撰稿人:宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军http://www.kfmic.com审稿人:浙江大学马向阳https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册链接:8.8.10化学机械抛光机(CMP)∈《集成电路产业全书》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切
    集成电路 827浏览量
  • 8.2.8 UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-03-01 09:57

    8.2.8UMOS的先进设计8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.7DMOSFET的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生
    MOS 1512浏览量