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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.1.12 硅基发光材料∈《集成电路产业全书》2021-12-31 02:01

    第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装
    集成电路 651浏览量
  • 5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 01:58

    5.3.1.2杂质5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3SiC中的点缺陷5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.2.1SiC
    SiC 1050浏览量
  • 9.2.1 晶体热处理∈《集成电路产业全书》2021-12-31 01:57

    9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成
    集成电路 553浏览量
  • 5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 01:53

    5.3.2载流子寿命“杀手”5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.3.1.2杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3SiC中的点缺陷5.2.3扩展缺陷对SiC器
    SiC 1192浏览量
  • 9.2.2 晶体定向∈《集成电路产业全书》2021-12-31 01:51

    9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日
    集成电路 696浏览量
  • 5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 01:48

    5.3.2.1寿命控制5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.3.2载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.1.2杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生
    SiC 1122浏览量
  • 9.2.3 晶锭切断工艺∈《集成电路产业全书》2021-12-31 01:47

    9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切
    集成电路 692浏览量