深圳市致知行科技有限公司文章

• 2021年度最佳FPGA芯片-EQ6HL130原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列XC6SLX1502022-03-01 01:10

  

  EQ6HL130原位完美替換XILINX/赛灵思SPARTAN6系列：EQ6HL130-FG484PINtoPINXC6SLX25EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX45EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX75EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PI

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• 9.6.10 铝靶∈《集成电路产业全书》2022-03-01 01:07

  

  AluminumTarget撰稿人：宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军http://www.kfmic.com审稿人：浙江大学马向阳https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册链接：8.8.10化学机械抛光机（CMP）∈《集成电路产业全书》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切

  集成电路 817浏览量

• EQ6HL45高性价比低功耗425万门级FPGA原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列FPGA2022-02-28 01:10

  

  EQ6HL45原位完美替換XILINX/赛灵思SPARTAN6系列：EQ6HL45-CSG225PtPXC6SLX4EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX9EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX16EQ6HL45-FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX25EQ6HL45

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• 8.2.7 DMOSFET的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-28 01:08

  

  8.2.7DMOSFET的先进设计8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.6功率MOSFET的实施：DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.4饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表

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• 9.6.9 掺杂试剂∈《集成电路产业全书》2022-02-28 01:07

  

  DopingReagents撰稿人：安集微电子科技(上海)股份有限公司陈东强http://page.anjimicro.com审稿人：浙江大学余学功https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册链接：8.8.10化学机械抛光机（CMP）∈《集成电路产业全书》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶

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• FPGA.EQ6GL9小型低功耗百万门级FPGA替换XILINX/赛灵思：XC6SLX4、XC6SLX92022-02-27 01:09

  

  EQ6GL9可替换器件：XILINX/赛灵思：XC6SLX4、XC6SLX9Altera：EP4CE6、EP4CE10Lattice：iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型号器件神针6GodNeedle6家族EQ6GL9型FPGA：有效系统门容量达到92万门；芯核电压1.1V，I/O

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• 8.2.6 功率MOSFET 的实施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-27 01:08

  

  8.2.6功率MOSFET的实施：DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.5比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.4饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.3MOSF

  MOSFET 2528浏览量

• 9.6.8 化学机械抛光垫和化学机械修整盘∈《集成电路产业全书》2022-02-27 01:07

  

  ChemicalMechanicalPolishingPadandConditioningDisc撰稿人：安集微电子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com审稿人：浙江大学余学功https://www.zju.edu.cn9.6工艺辅助材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册链接：8.8.10化学机械抛光机（

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• FPGA.AG1KLPQ48 替代Lattice ICE5LP1K2022-02-26 01:09

  

  AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280Q48替代AlteraEPM1270AG1KLPQ48替代LatticeICE5LP1KFPGAfamilydevice-AG1Kisultra-lowcostandpowerwithaslowas50uAstandbycu

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• 8.2.5 比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-26 01:08

  

  8.2.5比通态电阻8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.4饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.3MOSFET电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.2分裂准费米能级的MOS静电学∈《碳化

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