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100v p型mos管to252封装UTT50P10参数

04-06 144浏览量

MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;Pmos管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止。

 

 

100v p型mos管UTT50P10特点

■ VDS= -100V

■ ID = -50A

■ RDS(ON) ≤ 60 mΩ @ VGS= -10V, ID= -20A

■ 开关速度快

 

100v p mos管参数
 

 

UTT50P10 100v p mos管是一个p通道功率MOSFET, 100v p型mos采用UTC工艺技术制造,具有较低的导通电阻和高切换速度,还可以在雪崩中承受高能量。
 

选择MOS管时,需要根据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,从而获得好的产品设计体验,更多MOS的选型及100v p型mos管to252封装UTT50P10 产品特性参数请向骊微电子申请。>>

 

 

 

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