一文搞懂MOSFET和BJT的18点区别

晶体管 BJT 和MOSFET 都适用于放大和开关应用。然而，它们具有显着不同的特征。

图源：华秋商城双极结型晶体管 (BJT)双极结型晶体管，通常称为 BJT，从结构上看，就像两个背靠背连接的 pn 结二极管。BJT由三个端子组成，即发射极（Emitter,E）、基极（Base,B）和集电极（Collector,C）。双极结型晶体管根据结构，双极结型晶体管分为 NPN 和 PNP 晶体管。在 NPN 晶体管中，薄薄的一层 p 型半导体夹在两个 n 型半导体之间，而在 PNP 晶体管中，薄薄的一层 n 型半导体夹在两个 p 型半导体之间。PNP 和 NPN的电荷载流子不同，NPN以空穴为主要载流子，而PNP以电子为主要载流子。但两者的工作原理实际上是相同的，唯一的区别在于偏置，以及每种类型的电源极性。BJT符号BJT是一个电流控制装置，集电极或发射极输出是基极电流的函数。比如，通过调基极和发射极之间电压，可以控制集电极的电流，如下图所示。BJT工作电压的变化会影响基极的电流，而该电流又会影响晶体管的输出电流。由此可见，在BJT里，是输入电流控制着输出电流。许多人更喜欢 BJT 用于低电流应用，例如用于开关，因为它们更便宜。BJT被广泛用作放大器、开关或振荡器等应用。双极结型晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET ）金属氧化物半导体场效应晶体管，俗称MOSFET，是一种主要由硅半导体材料制成的场效应晶体管，是最常用的晶体管类型。MOSFET具有三个端子：源极、栅极和漏极。它的顶部有金属端子，端子下方有氧化硅层，而半导体材料形成底层——由此形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET结构
与 BJT 不同，MOSFET不存在基极电流。MOSFET是一种电压控制器件，氧化物绝缘栅电极上的电压可以生成用于在其他触点“源极和漏极”之间传导的通道，进而控制漏极电流。即MOSFET栅极上的电压会产生一个电场，允许电流在源极和漏极之间流动，但该电流可能被栅极上的电压夹断或打开。根据工作原理，MOSFET分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。增强型 MOSFET 在正常情况下保持关闭状态，需要栅极电压才能将其打开，而耗尽型 MOSFET 在正常情况下保持打开状态，需要栅极电压才能将其关闭。MOSFET分类
MOSFET 的优点在于它们可以更有效地处理功率，功耗更低。如今，MOSFET 是数字和模拟电路中最常用的晶体管，取代了当时非常流行的 BJT。最后，简单总结下两者的重要区别：

● BJT 是双极器件，而 MOSFET 是单极器件。

● BJT 有发射极、集电极和基极，而 MOSFET 有栅极、源极和漏极。

● BJT 是电流控制器件，由基极电流控制；而 MOSFET 是电压控制器件，由栅极电压控制。

● BJT 的开关速度限制高于 MOSFET。

● BJT 适合小电流应用，而 MOSFET 适合大功率功能。

● 在数字和模拟电路中，目前认为 MOSFET 比 BJT 更常用。

● BJT和MOSFET都有广泛的应用。在选择合适的器件时，需要考虑开关速度、控制方法、功耗、负载类型、效率和成本等几个因素。

关于华秋商城

华秋商城是国内领先的电子元器件采购一站式服务平台，与3000多家原厂合作，自营现货20万+，全球SKU 2000万+，2小时极速发货！