2018年三星科技日的三大利器

近日，三星2018科技日在圣何塞（San Jose,CA）圆满结束，此次三星也带来了一些新产品、新技术，这些创新有助于最大化数据中心的效率，并使人工智能和其他企业和新兴技术成为可能。2018年三星科技日的主要内容包括:

三星代工厂的7nm的EUV进程节点在功耗、性能和尺寸方面有显著改进。

SmartSSD是一种现场可编程门阵列（FPGA）SSD，它提供加速的数据处理以及能够绕过服务器CPU限制。

在企业应用程序和数据中心，QLC-SSD每个单元提供存储比TLC-SSD多33%，这样能合并存储占用并提高所有权总成本(TCO)。

据三星半导体公司总裁蔡志刚（J S Choi）表示：“三星的技术领导力和产品竞争力是无与伦比的。”将7nm EUV投入生产表示三星取得了巨大突破。SmartSSD和256GB 3DS RDIMM的发布也代表了性能和容量的突破，将继续推动计算边界。同时，这些对三星综合技术生态系统的补充将为下一代数据中心、高性能计算(HPC)、企业、人工智能(AI)和新兴应用提供动力。

实现三星7nm LPP（低功耗PLUS）EUV工艺节点的初始生产是半导体制造中的一个重要里程碑。7nm LPP EUV工艺技术所提供的关键优点包括与10nm工艺相比，减少了40%的面积、50%的动态功率降低和20%的性能提升。7LPP工艺是最终实现3nm工艺的关键步骤。

三星新推出的SmartSSD和四级单元(QLC)-SSD加速了数据处理，绕过了服务器CPU限制，并降低了功耗。这些新产品允许数据中心以更快的速度继续扩展，又可以控制成本。

新的数据中心产品包括键值(KV)-SSD和Z-SSD。KV-SSD克服了块存储的低效性，减少了延迟。当CPU架构达到最大值时，数据中心的性能可以均匀地扩展。下一代Z-SSD将是有史以来最快的闪存，具有超低延迟、双端口高可用性和u - 2格式，Z-SSD还具有PCIe Gen 4接口，顺序读取带宽有望达到12GB/s，比现在的SATA III ssd快20倍。

三星针对数据中心和企业应用的QLC-SSD比tlc - ssd每个单元提供了33%的存储空间。三星的1TB QLC-SSD为企业用户提供了一种最前沿的存储选择，与HDDs相比，它创造了显著的竞争效率，并有助于提高所有权总成本(TCO)的最重要指标。