Onsemi 20V、4.0A低VCE(sat) PNP晶体管：NSS20200LT1G与NSV20200LT1G的技术解析

在电子设计领域，晶体管是不可或缺的基础元件。今天，我们来深入探讨Onsemi推出的两款20V、4.0A低VCE(sat) PNP晶体管——NSS20200LT1G和NSV20200LT1G，看看它们有哪些独特之处和应用场景。

文件下载：NSS20200L-D.PDF

产品概述

Onsemi的e2PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管属于微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和高电流增益能力。这使得它们非常适合用于低压、高速开关应用，在这些应用中，经济高效的能源控制至关重要。

产品特性

应用广泛

典型应用包括DC - DC转换器以及便携式和电池供电产品（如手机、无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器）的电源管理。此外，它们还可用于大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）的低压电机控制。在汽车行业，可用于安全气囊展开和仪表集群。高电流增益允许e2PowerEdge器件直接由PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想组件。

符合标准

• AEC - Q101合格且具备PPAP能力，NSV前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用。
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS标准。

订购信息

器件型号	封装	包装方式	数量
NSS20200LT1G (Pb - Free)	SOT - 23	卷带包装	3,000个/卷
NSV20200LT1G (Pb - Free)	SOT - 23	卷带包装	3,000个/卷

产品参数

最大额定值（TA = 25°C）

额定参数	符号	最大值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	-20	Vdc
集电极 - 基极电压	VCBO	-20	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	-7.0	Vdc
集电极连续电流	IC	-2.0	A
集电极峰值电流	ICM	-4.0	A
静电放电（ESD）HBM等级		3B
静电放电（ESD）MM等级		C

热特性

不同条件下的总器件功耗和热阻有所不同：

• 在FR - 4@100 mm²、1 oz.铜走线条件下，TA = 25°C时总器件功耗为460mW，25°C以上每升高1°C降额3.7mW/°C，结到环境的热阻RJA为270°C/W。
• 在FR - 4@500 mm²、1 oz.铜走线条件下，TA = 25°C时总器件功耗为540mW，25°C以上每升高1°C降额4.3mW/°C，结到环境的热阻RJA为230°C/W。
• 单脉冲（< 10秒）条件下，总器件功耗PDsingle为710mW。
• 结温和存储温度范围为 - 55到 + 150°C。

电气特性（TA = 25°C，除非另有说明）

关断特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（IC = -10 mAdc，IB = 0）：V(BR)CEO为 - 20Vdc。
• 集电极 - 基极击穿电压（IC = -0.1 mAdc，IE = 0）：V(BR)CBO为 - 20Vdc。
• 发射极 - 基极击穿电压（IE = -0.1 mAdc，IC = 0）：V(BR)EBO为 - 7.0Vdc。
• 集电极截止电流（VCB = -20Vdc，IE = 0）：ICBO最大为 - 0.1uAdc。
• 发射极截止电流：IEBO最大为 - 0.1uAdc。

导通特性

• 不同集电极电流下的电流增益hFE：在IC = -10 mA、VCE = -2.0 V时，hFE最小值为250；IC = -500 mA、VCE = -2.0 V时，hFE最小值为250；IC = -1.0 A、VCE = -2.0 V时，hFE最小值为180；IC = -2.0 A、VCE = -2.0 V时，hFE最小值为150。
• 集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat)：在不同集电极电流和基极电流组合下有不同的值，如IC = -0.1 A、IB = -0.010 A时，典型值为 - 0.008V，最大值为 - 0.013V等。
• 基极 - 发射极饱和电压VBE(sat)（IC = -1.0 A，IB = -0.01 A）：最大值为 - 0.900V。
• 基极 - 发射极开启电压VBE(on)（IC = -1.0 A，VCE = -2.0 V）：最大值为 - 0.900V。
• 截止频率fT（IC = -100 mA，VCE = -5.0 V，f = 100 MHz）：为100 MHz。
• 输入电容Cibo（VEB = 0.5 V，f = 1.0 MHz）：最大值为330 pF。
• 输出电容Cobo（VCB = 3.0 V，f = 1.0 MHz）：最大值为100 pF。

开关特性

在VCC = -15 V、IC = 750 mA、IB1 = 15 mA条件下：

• 延迟时间：60 ns。
• 上升时间tr：120 ns。
• 存储时间ts：300 ns。
• 下降时间tf：130 ns。

机械尺寸

采用SOT - 23（TO - 236）封装，尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P，各引脚定义和不同封装样式有详细说明。

总结

Onsemi的NSS20200LT1G和NSV20200LT1G PNP晶体管凭借其低VCE(sat)、高电流增益以及广泛的应用场景，为电子工程师在低压、高速开关应用中提供了一个可靠的选择。在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，综合考虑这些产品的各项参数，以确保设计的可靠性和性能。大家在使用这些晶体管时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。