安森美NPN小信号达林顿晶体管BSP52T1G、BSP52T3G、SBSP52T1G介绍
在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天要给大家介绍安森美(onsemi)的NPN小信号达林顿晶体管BSP52T1G、BSP52T3G、SBSP52T1G,它们在开关应用中表现出色,下面我们来详细了解一下。
文件下载:BSP52T1-D.PDF
产品概述
这些NPN小信号达林顿晶体管主要用于开关应用,像打印锤、继电器、螺线管和灯驱动器等场景都能看到它们的身影。它们采用SOT - 223封装,这种封装专为中功率表面贴装应用而设计。
产品特性
封装优势
SOT - 223封装既可以使用波峰焊,也能采用回流焊进行焊接。其成型引脚能在焊接过程中吸收热应力,避免芯片受损。并且,该产品有12mm的卷带包装形式。
订购信息
- BSP52T1G和SBSP52T1G采用SOT - 223(无铅)封装,每卷1000个。
- BSP52T3G同样是SOT - 223(无铅)封装,每卷4000个。关于卷带规格的详细信息,可参考安森美《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
环保特性
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。其中,带S前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。其PNP互补型号是BSP62T1。
产品参数
最大额定值
| 额定值 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCES | 80 | V |
| 集电极 - 基极电压 | VCBO | 90 | V |
| 发射极 - 基极电压 | VEBO | 5.0 | V |
| 集电极电流 | IC | 1.0 | A |
| 总功率耗散(注1)@TA = 25°C 25°C以上降额 |
PD | 0.8 6.4 |
W mW/°C |
| 总功率耗散(注2)@TA = 25°C 25°C以上降额 |
PD | 1.25 10 |
W mW/°C |
| 工作和储存温度范围 | TJ, Tstg | - 65至150 | °C |
注1:器件安装在采用最小推荐焊盘的FR - 4玻璃环氧树脂印刷电路板上。注2:器件安装在采用1cm²焊盘的FR - 4玻璃环氧树脂印刷电路板上。
热特性
| 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 热阻(注1)结到环境 | RBA | 156 | °C/W |
| 热阻(注2)结到环境 | RBA | 100 | °C/W |
| 焊接用最高温度 在焊锡槽中的时间 |
TL | 260 10 |
°C Sec |
电气特性
关断特性
| 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极击穿电压(IC = 100μA,IE = 0) | V(BR)CBO | 90 | V | ||
| 发射极 - 基极击穿电压(IE = 10μA,IC = 0) | V(BR)EBO | 5.0 | V | ||
| 集电极 - 发射极截止电流(VCE = 80 V,VBE = 0) | ICES | 10 | μA | ||
| 发射极 - 基极截止电流(VEB = 4.0 V,IC = 0) | IEBO | 10 | μA |
导通特性
| 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 直流电流增益(IC = 150 mA,VCE = 10 V) (IC = 500 mA,VCE = 10 V) |
hFE | 1000 2000 |
- | ||
| 集电极 - 发射极饱和电压(IC = 500 mA,IB = 0.5 mA) | VCE(sat) | 1.3 | V | ||
| 基极 - 发射极饱和电压(IC = 500 mA,IB = 0.5 mA) | VBE(sat) | 1.9 | V |
开关特性
| 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 上升时间(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA) | tr | 155 | ns | ||
| 延迟时间(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA) | td | 205 | ns | ||
| 存储时间(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA,IB2 = 0.15 mA) | ts | 420 | ns | ||
| 下降时间(VCC = 10 V,IC = 150 mA,IB1 = 0.15 mA,IB2 = 0.15 mA) | tf | 365 | ns |
这里需要注意的是,产品参数性能是在列出的测试条件下给出的,如果在不同条件下工作,产品性能可能会有所不同。对于导通特性的测试,采用的是脉冲测试(脉冲宽度 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2.0%)。
典型特性
文档中还给出了一些典型特性曲线,包括直流电流增益、集电极 - 发射极饱和电压、基极 - 发射极饱和电压、基极 - 发射极导通电压、电容以及电流增益带宽积与集电极电流的关系等曲线。这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。
注意事项
在使用这些晶体管时,要注意不要超过最大额定值表中列出的应力,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。同时,安森美提醒用户,产品的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也会随时间改变,因此所有工作参数都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。另外,安森美的产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或人体植入设备等关键应用。
大家在实际设计中,是否会优先考虑这款晶体管呢?在使用过程中又会遇到哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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BSP52 NPN双极达林顿晶体管
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