Onsemi MB1S - MB8S桥堆整流器：小尺寸大能量

在电子工程师的日常设计工作中，桥堆整流器是不可或缺的基础元件。今天就来深入探讨一下Onsemi的MB1S - MB8S系列桥堆整流器，看看它有哪些独特之处。

文件下载：MB8S-D.PDF

一、产品概述

Onsemi的MB系列桥堆整流器属于0.5A整流器家族。别看它尺寸小，仅有35平方毫米的外形尺寸，却有着出色的浪涌电流吸收能力。为了吸收高浪涌电流，其设计支持35A的IFsM额定值和5.0A²Sec的I²T额定值，并且该系列器件的击穿电压最高可达1000V。这些特性使得MB系列非常适合那些需要额外浪涌能力的小功率电源。

如果需要更高的IFAV电流额定值、更低的外形封装或者更低的VF值，可以考虑Onsemi的MDB系列桥堆整流器。而对于在MB封装中追求更好的VF和效率值，甚至更高浪涌能力的需求，不妨关注一下Onsemi即将推出的MBxSV系列。

二、产品特性

1. 低泄漏

低泄漏特性有助于减少能量损耗，提高电源的效率，这在对功耗要求较高的应用中尤为重要。

2. 高浪涌过载能力

具有35A的峰值浪涌过载额定值，能够有效应对瞬间的高电流冲击，保护电路免受损坏。

3. 适合印刷电路板

该系列产品的设计非常适合印刷电路板的安装，便于工程师进行布局和焊接。

4. UL认证

通过了UL认证（UL #E258596），这意味着产品符合相关的安全标准，使用起来更加可靠。

5. 环保合规

产品为无铅且符合RoHS标准，符合现代电子产品对环保的要求。

三、绝对最大额定值

Symbol	Parameter	MB1S	MB2S	MB4S	MB6S	MB8S	Unit
VRRM	最大重复反向电压	100	200	400	600	800	V
VRMS	最大RMS桥输入电压	70	140	280	420	560	V
VR	直流反向电压（额定VR）	100	200	400	600	800	V
F(AV)	环境温度为50°C时的平均整流正向电流	0.5					A
IFSM	非重复峰值正向浪涌电流：8.3ms单半正弦波	35					A
TSTG	存储温度范围	-55至+150					°C
TJ	结温范围	-55至+150					°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

四、热特性

Symbol	Parameter	Value	Unit
PD	功率耗散	1.4	W
RθJA	结到环境的热阻，每引脚（注1）	85	°C/W
RθJL	结到引脚的热阻，每引脚（注1）	20	°C/W

注：器件安装在具有0.5×0.5英寸（13×13mm）引脚长度的PCB上。了解热特性对于工程师在设计散热方案时非常重要，以确保器件在正常工作温度范围内稳定运行。

五、电气特性

Symbol	Parameter	Conditions	Value	Unit
VF	每个桥的正向电压	IF = 0.5A	1.0	V
IR	每个引脚在额定VR下的反向电流	TA = 25°C	5.0	μA
		TA = 125°C	0.5	mA
I²t	熔断的I²t额定值	t < 8.3ms	5.0	A²s
CT	每个引脚的总电容	VR = 4.0V，f = 1.0MHz	13	pF

产品的电气特性是工程师在设计电路时需要重点关注的参数，不同的应用场景可能对这些参数有不同的要求。在实际使用中，如果操作条件不同，产品性能可能无法通过电气特性来体现。

六、订购信息

Part Number	Top Mark	Package	Shipping †
MB1S	MB1S	SOIC4 W	3,000 / Tape & Reel
MB2S	MB2S	(Pb−Free)
MB4S	MB4S
MB6S	MB6S
MB8S	MB8S

对于带盘规格的信息，包括零件方向和带盘尺寸，请参考Onsemi的带盘包装规格手册BRD8011/D。

七、典型性能特性

文档中还给出了多个典型性能特性曲线，如输出整流电流的降额曲线、每个引脚的典型反向泄漏特性、每个引脚的最大非重复峰值正向浪涌电流、每个引脚的典型结电容以及每个引脚的典型正向电压特性等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而优化电路设计。

Onsemi的MB1S - MB8S系列桥堆整流器以其小尺寸、高浪涌能力和良好的电气性能，为电子工程师在小功率电源设计中提供了一个不错的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求，综合考虑各项参数和特性，以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用这个系列的产品时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。