基于J-Link直接烧写NOR Flash的办法

本文主要是关于NOR Flash的相关介绍，并着重对NOR Flash原理及其烧写进行了详尽的阐述。

NOR Flash

NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、 NAND的写入速度比NOR快很多。3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

J-Link

J-Link是SEGGER公司为支持仿真ARM内核芯片推出的JTAG仿真器。配合IAR EWAR，ADS，KEIL，WINARM，RealView等集成开发环境支持所有ARM7/ARM9/ARM11，Cortex M0/M1/M3/M4， Cortex A5/A8/A9等内核芯片的仿真，与IAR，Keil等编译环境无缝连接，操作方便、连接方便、简单易学，是学习开发ARM最好最实用的开发工具。产品规格：电源USB供电，整机电流 《50mA 支持的目标板电压 1.2 ～ 3.3V，5V兼容 目标板供电电压 4.5 ～ 5V （由USB提供5V） 目标板供电电流 最大300mA，具有过流保护功能 工作环境温度 +5℃～ +60℃ 存储温度 -20℃ ～ +65℃ 湿度 《90%尺寸（不含电缆） 100mm x 53mm x 27mm 重量（不含电缆）70g 电磁兼容 EN 55022， EN 5502 。

主要特点

* IAR EWARM集成开发环境无缝连接的JTAG仿真器。

*支持CPUs： Any ARM7/9/11， Cortex-A5/A8/A9， Cortex-M0/M1/M3/M4， Cortex-R4， RX610， RX621， RX62N， RX62T， RX630， RX631， RX63N。

*下载速度高达1 MByte/s。

*最高JTAG速度15 MHz。

*目标板电压范围1.2V –3.3V，5V兼容。

*自动速度识别功能。

*监测所有JTAG信号和目标板电压。

*完全即插即用。

*使用USB电源（但不对目标板供电）

*带USB连接线和20芯扁平电缆。

*支持多JTAG器件串行连接。

*标准20芯JTAG仿真插头。

*选配14芯JTAG仿真插头。

*选配用于5V目标板的适配器。

*带J-Link TCP/IP server，允许通过TCP/ IP网络使用J-Link。

产品规格

电源： USB供电，整机电流《 50mA 。

USB接口： USB 2.0全速12Mbps。

目标板接口： JTAG （20P）

支持的目标板电压： 1.2 – 3.3V，5V兼容。

目标板供电电压： 4.5 – 5V （由USB提供5V）

目标板供电电流： 最大300mA，具有过流保护功能。

工作环境温度： +5°C 。。. +60°C。

存储温度： -20°C 。。. +65 °C。

湿度： 《90%

尺寸（不含电缆）： 100mm x 53mm x 27mm。

重量（不含电缆）： 80g。

电磁兼容： EN 55022， EN 55024。

基于J-Link直接烧写NOR Flash的办法

本步骤适合Mini 2440 / micro 2440 / TQ 2440 / OK 2440-Ⅲ / FL 2440开发板烧写Nor Flash。

一、确认J-Link能否识别ARM核

（1）开发板断电

（2）将J-Link通过JTAG排线插在开发板的JTAG接口座上，另外一头插在笔记本的USB口

（3）开发板上电

（4）运行J-Link Commander程序

（5）输入usb并回车

如上图所示，代表能识别ARM核。

如果上述窗口显示的信息是：Could not find supported CPU core on JTAG chain，说明当前的操作J-Link不能识别CPU。可以通过下面三种情况来依次排除问题：

（1）转接板的插针没有对齐J-Link的20针。重新拔插转接板，并严格对齐每一针，重新插好，然后再测试

（2）换一根USB延长线，可以直接用2440开发板盒子里白色的USB线，替换掉黑色的USB线，插在J-Link上连接笔记本的USB口，然后重新测试

（3）替换JTAG排线，可以直接用2440开发板盒子里的JTAG排线，然后重新测试

二、烧写Nor Flash

（1）将开发板S1跳线打到Nor，然后接上J-Link，一头插在底板的JTAG插座上，J-Link另一头接PC的USB口，然后给开发板上电

（2）打开J-Flash ARM工具（开始 -》 SEGGER -》 J-Link ARM V4.40 -》 J-Flash ARM）

（3）File -》 Open project，打开s3c2440a_embedclub.jflash

（4）Options -》 Project settings，选择Flash，点击Select flash device，选中开发板对应的Nor Flash芯片型号。例如S29AL016JXXXXXX2（此型号标注在开发板的Nor Flash芯片上）

（5）Target -》 Connect

（6）File -》 Open data file，打开需要下载的映像文件，例如Superboot2440.bin或者u-boot.bin

注意：这里支持的格式为.bin，如果下载的是supervivi-128M的话，需要修改后缀为supervivi-128M.bin

文件打开后，会弹出下载地址对话框，直接输入0即可。

点击OK后如下图所示

开发板断电，拔掉J-Link，再重新上电，此时在SecureCRT中将显示Superboot启动的消息

结语

关于NOR Flash的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。

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