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‌NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器技术解析与应用指南‌

科技观察员 2025-11-25 13:50 次阅读
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安森美 NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器是MiniGate™ 高性能双路非反相缓冲器,工作采用1.65V至5.5V电源。高电平使能特性让这些缓冲器可以在使能时提供有源输出,使它们适合用于多器件环境中需要受控信号激活的应用。安森美NL27WZ126缓冲器采用 US8、UDFN8和UQFN8封装,工作在-55°C至+125°C的宽温度范围内。

数据手册:*附件:onsemi NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器数据手册.pdf

特性

  • 设计在1.65V至5.5V VCC 电压下运行
  • 2.4ns t PD (在VCC = 5V的典型值时)
  • 输入/输出耐高达5.5V的过电压
  • IOFF 支持局部断电保护
  • 24mA拉电流/灌电流(3.0V时)
  • ±100mA锁存性能
  • 工作温度范围:-55 °C至+125 °C
  • 采用US8、UDFN8和UQFN8封装
  • 芯片复杂性<100FET
  • 几乎为零的静态供电电流大幅降低了系统功率要求
  • 潮湿敏感度等级 (MSL) 1级
  • UL 94V-0可燃性等级
  • 带-Q后缀的用于汽车和其他要进行现场和控制变更的应用,通过了AEC-Q100认证,并支持PPAP
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS指令

逻辑符号

1.png

开关波形

2.png

NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器技术解析与应用指南


一、器件概述与核心特性

NL27WZ126是onsemi推出的高性能‌双路非反相缓冲器‌,专为‌1.65V至5.5V宽电压供电系统‌设计。其核心特性包括:

  1. 超高速响应
    • 传播延迟(tPD)典型值仅‌2.4 ns @ VCC=5V‌,适用于时序要求严苛的接口电路。
  2. 过压容忍能力
    • 所有输入/输出端口均支持‌最高5.5V过压输入‌,可直接连接高于VCC的逻辑信号。
  3. 电源灵活性
    • 支持‌ 部分断电模式(IOFF) ‌,在VCC=0V时有效阻断漏电流,保障低功耗设备的安全性。
  4. 驱动能力强
    • 在3.0V电压下可实现‌24mA源/漏电流‌,直接驱动LED等负载。
  5. 环保封装
    • 提供US8、UDFN8、UQFN8等多种封装选项,全系符合‌无铅、无卤素、RoHS标准‌。

二、关键电气参数深度分析

1. 绝对最大额定值(安全边界)

参数极限值说明
供电电压VCC-0.5V ~ +6.5V超出范围可能导致永久损坏
输入电压VIN-0.5V ~ +6.5V兼容5V逻辑系统
工作结温TJ+150°C依赖封装散热能力

设计注意‌:实际使用中需确保VCC不超过5.5V,瞬态电压需通过TVS管抑制。

2. 直流电气特性(@25°C)

条件高电平输出电压VOH低电平输出电压VOL
VCC=3.0V, IOH=-24mA≥2.3V(典型2.5V)-
VCC=3.0V, IOL=24mA-≤0.55V(典型0.38V)
VCC=5.0V, IOH=-32mA≥3.8V(典型4.0V)-

关键优势‌:在全温度范围(-55°C~125°C)内仍能保持稳定的电平输出。

3. 动态性能指标

  • 传输延迟‌:5V供电时仅‌ 2.0ns(典型值)
  • 输出使能时间‌:3.3V系统下最快‌2.6ns
  • 输出禁用时间‌:同等条件下可达‌2.6ns

三、功能逻辑与引脚配置

真值表逻辑

使能OEn输入An输出Yn状态
HHH有效传输
HLL有效传输
LXZ高阻态

应用提示‌:当OEn=L时,输出呈现高阻态,支持总线共享应用。

多封装引脚对应

  • US8封装‌:OE1(1), A1(2), Y2(3), GND(4), A2(5), Y1(6), OE2(7), VCC(8)
  • UQFN8封装‌:OE2(1), Y1(2), A2(3), GND(4), Y2(5), A1(6), OE1(7), VCC(8)

布局建议‌:不同封装的引脚排列差异显著,PCB设计时需核对具体型号。


四、典型应用场景与设计要点

1. 电平转换接口

  • 优势‌:1.8V/3.3V/5V系统间信号互通
  • 保护机制‌:集成输入钳位二极管,防止静电损伤

2. 总线驱动与隔离

  • 高阻态控制‌:通过OE引脚实现多设备总线共享
  • 驱动能力‌:24mA直接驱动能力减少外围器件需求

3. 低功耗系统设计

  • IOFF特性‌:在休眠模式下有效隔离电源域
  • 静态电流‌:典型值仅1μA,适合电池供电设备

五、可靠性设计与故障预防

热管理策略

封装类型热阻θJA最大功耗@25°C
US8250°C/W500mW
UQFN8210°C/W595mW

计算示例‌:US8封装在125mA负载下功耗约300mW,温升=300mW×250°C/W=75°C,需确保环境温度≤50°C。

ESD防护能力

  • 人体模型‌:2000V
  • 充电设备模型‌:1000V
  • 闩锁性能‌:±100mA

六、选型与供应链信息

型号区分要点

  • NL27WZ126USG‌:标准工业级,US8封装
  • NL27WZ126USG-Q‌:汽车级认证,AEC-Q100标准
  • UQFN/UDFN型号‌:针对空间受限应用

采购提示‌:汽车级器件需联系厂商获取特殊控制要求文档。

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