数明半导体发布高UVLO系列隔离门极驱动器：SiLM8260Ax/ SiLM5350x/ SiLM825x，提升系统长期可靠性

SiC MOSFET 功率器件广泛应用于工业、汽车和能源行业，如变频器、光伏逆变器、车载充电器、牵引逆变器等。为实现最佳功率转换效率，SiC MOSFET 通常采用 15V - 18V 的较高正驱动电压，甚至需要 20V 以获取最小导通电阻、降低通态损耗。同时，因其开关速度快，关断时一般需 -2V 到 -5V 的负压驱动，以防止关断时 dV/dt 引起误导通。

对于大部分无单独 COM 脚的驱动芯片，其 UVLO 通常参考芯片的 VEE/GND 脚。如图 1，VCC 电压为 18V，VEE电压设为 -5V，若驱动器 UVLO 为 12.5V，当 VCC电压降至 12.5V - 5V = 7.5V 时，驱动器就会开始工作。驱动电压不足时，SiC MOSFET 导通电阻会急剧增大，导致功耗增加，系统短时间内迅速过热，这对 SiC MOSFET 的长期可靠性和系统安全极为不利。

图 1. 采用正、负电源驱动的门极驱动电路

数明半导体最新推出高 UVLO 系列隔离驱动芯片，涵盖单通道隔离驱动 SiLM5350x 系列以及带米勒嵌位的双通道隔离驱动 SiLM8260Ax 系列。这两个系列均具备高 UVLO 特性，支持多重 UVLO 阈值灵活选配，可成功解决这一应用难题。在实际运行过程中，当供电电压达到足够高的水平时，驱动芯片会精准输出驱动信号，对 SiC MOSFET 进行可靠控制，确保其稳定运行于低导通电阻工况，从而有效降低功率损耗；而当供电电压低于所选 UVLO 阈值时，SiC MOSFET 会进入关断状态，避免因电压异常波动导致器件损坏。采用具备多重 UVLO 阈值可选功能的驱动芯片，可切实解决 SiC MOSFET 在开机和关机阶段驱动电压不足的问题，显著提升系统的长期运行可靠性。这一优势使得该系列产品在新能源、工业控制等对电源稳定性要求严苛的领域拥有极为可观的应用发展空间和市场前景。

产 品 特 性

01

大电流驱动能力：

具备 10A 源电流和灌电流能力，能轻松直接驱动大功率 IGBT、SiC 功率器件，确保系统在高负载条件下稳定运行，提升效率、减小功耗。

02

集成米勒钳位功能

有效抑制门极驱动因对管开关产生的电压尖峰，显著减少上、下管直通风险。同时，防止功率器件在高 dV/dt 应用环境中误导通，提升系统稳定性和可靠性。

03

宽输入电压范围

输入电压 3.5V 到 18V，适应不同电源环境应用需求，为系统提供更灵活的电源选择。

04

高输出电压支持

最高支持输出电压达 30V，满足高功率器件驱动需求，确保系统高效运行。

05

高 UVLO 选项

提供多种 UVLO（欠压锁定）选项，包括 18.9V、17.7V、16.5V、15.3V、12.5V、8.5V、5.5V 和 3.5V，可根据应用需求灵活选择，确保功率器件安全运行。

06

输入管脚负电压耐受能力

输入管脚能耐负 5V 电压，增强驱动器抗干扰能力，使其在复杂电磁环境中稳定工作。

07

卓越的 CMTI 性能

具有超高抗共模瞬态抑制能力，典型 CMTI（共模瞬态免疫）高达 200kV/µs，在高干扰环境下仍能保持出色信号完整性，确保系统稳定运行，支持 SiC 功率器件快速开、关切换的应用场景。

此外，数明半导体也同时推出了另一款极具竞争力的高 UVLO 双通道隔离门极驱动产品 SiLM825x 系列，该系列产品在电源稳定性保障方面表现卓越，提供 18V 和 15V 两种高 UVLO 选项，能够精准适配不同应用场景下对驱动电压阈值的严苛要求，有效避免因电源电压波动导致的器件误触发或工作异常，为系统的稳定运行提供坚实可靠的保障。

应 用 领 域

充电桩与充电模块

提升充电效能与安全保障

储能变流器

适应复杂环境，增强系统可靠性

光伏逆变器

优化发电效能，保障电站长效运行

服务器电源与工业电源

增强电源性能，降低维护成本

产 品 选 型