BD9B333GWZ是内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压型DC/DC转换器。最大可输出3A的电流。采用轻负载时进行低功耗工作的独创恒定时间控制方式,适用于要降低待机功耗的设备。振荡频率高,适用于小型电感。是恒定时间控制DC/DC转换器,具有高速负载响应性能。BD9B333GWZ
采用小型CSP封装,可在大功率密度下减少贴装面积。
*附件:BD9B333GWZ.pdf
主要规格
型号 | BD9B333GWZ-E2
封装 | UCSP35L1
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes
典型应用电路

特点:
- 输入电压范围:2.7V 至 5.5V
- 输出电压范围:0.6V 至 VIN×0.8V
- 输出电流:3A(最大值)
- 开关频率:1.3MHz(典型值)
- 高端 MOSFET 导通电阻:23mΩ(典型值)
- 低端 MOSFET 导通电阻:23mΩ(典型值)
- 待机电流:0μA(典型值)
方框图

核心功能与工作机制
1. 双模控制技术(Deep-SLLM+PWM)
- Deep-SLLM 控制(轻载模式) :当负载电流较小时(如 0.1A),自动切换为非连续导通模式,减少开关次数并降低静态电流,轻载效率比固定 PWM 模式高 15%-25%(如图 38、53),适配设备待机低功耗需求。
- PWM 控制(重载模式) :负载电流较大时(如>0.5A),采用恒定导通时间控制,通过实时监测输出电压调整导通时间,实现高速瞬态响应(如图 36-37,0.1A→2A 负载跳变时输出波动小),且开关频率稳定(1.3MHz 典型值),输出纹波低。
2. 软启动与电源良好(PGD)功能
- 软启动 :EN 引脚置高后激活,SS 引脚开路时默认 1ms 启动时间,外接电容可延长(推荐≤0.01μF),通过控制启动电流抑制输出过冲与浪涌电流,保护外部元件。
- PGD(电源良好) :开漏输出引脚,需外接 10kΩ-100kΩ 上拉电阻。当 FB 电压≥90% 基准(0.54V)时,PGD 为高阻态(输出高);≤85% 基准(0.51V)时,内部 N-MOS 导通拉低(输出低),具备 5% 滞回避免误触发,便于系统监测电源状态。
3. 多重保护机制
| 保护类型 | 触发条件(典型值) | 动作方式 | 恢复方式 |
|---|---|---|---|
| 过流保护(OCP) | 高侧电流>7.1A / 低侧电流>5.1A | 周期 - by - 周期限制占空比,不锁存 | 电流降至阈值以下自动恢复 |
| 短路保护(SCP) | FB<0.51V 且 OCP 触发 512 次 | 关断输出 3ms 后重启(打嗝模式) | 自动重启,输出恢复后计数清零 |
| 过热保护(TSD) | 结温 Tj>175℃ | 关断所有输出,进入待机 | Tj 降至 150℃以下自动恢复 |
| 欠压锁定(UVLO) | AVIN<2.45V | 关断输出,禁止启动 | AVIN 升至 2.55V 以上恢复 |
| 过压保护(OVP) | FB>0.72V | 关断高低端 MOSFET,泄放电压 | 输出电压降至正常范围后恢复 |
总结
BD9B333GWZ 作为一款超小型高集成同步降压 DC/DC 转换器,以 2.7V-5.5V 宽输入范围、3A 输出能力、Deep-SLLM 双模控制和 UCSP 超小封装为核心优势,完美平衡尺寸、效率与可靠性。其低导通电阻 MOSFET(23mΩ)与高频控制技术(1.3MHz)降低导通与开关损耗,多重保护机制(过流 / 短路 / 过热等)提升系统安全性,且提供详细的元件选型与 PCB 布局指南,降低工程设计难度。在实际应用中,需重点关注电流环路最小化、接地隔离与散热降额,结合输出电压需求合理配置反馈电阻与 FB 电容,确保器件在紧凑空间内稳定高效运行,尤其适配对尺寸敏感的消费电子与工业控制设备。
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