Texas Instruments TAS2572数字输入D类音频放大器集成H级升压功能，可在电池供电系统中提供更高的功率。该器件集成有扬声器电压和电流检测（IV-Sense）功能，可对扬声器进行实时监控。IV-sense数据可用于在主机DSP上运行扬声器保护算法，以实现高输出声压级（SPL），同时将扬声器保持在安全工作区域。

数据手册；*附件：Texas Instruments TAS2572数字输入D类音频放大器数据手册.pdf

Texas Instruments TAS2572经过优化，可在实际音乐播放和语音通话应用中提供最佳电池寿命。先进的效率优化功能，如H级、Y桥和算法，使该器件能够在所有工作功率区域内实现同类最佳的效率。通过集成的H类13V升压功能，该D类放大器可提供6.6W的输出功率。

电池跟踪峰值电压限制器和电池电压监控ADC可在主机处理器上实现先进的电池监控算法。该功能可管理峰值输出功率，同时避免电池电量耗尽时出现音频失真。通过I^2^S/TDM + I^2^C接口，最多可有四个器件共享公共总线。

特性

• 功能强大的D类放大器
  • 6.6W，THD+N=1%
  • 升压为13V，最大电流限制为4.0A
• 同级最佳的效率
  • 系统级效率：高达90%
  • 空闲通道功率：4.8mW
  • 集成Y桥
  • 先进的H级升压功能，步长为33mV
• 高性能音频通道
  • A加权空闲通道噪声：7µV
  • 109 dB动态范围
  • THDN：-90dB
  • 低EMI性能
• 先进的集成功能
  • 集成扬声器IV检测功能
  • 信号检测高效模式
  • 高精度电压监控器和温度传感器
  • 可编程电池输入电流限制
• 简单易用的功能
  • 支持1节、2节和3节锂离子电池
  • 基于时钟的开/关机
  • 自动时钟频率检测：16kHz至192kHz
  • 集成超声波音频发生器
  • 支持外部14V PVDD电源
  • MCLK自由操作
  • 热保护和过流保护
  • 可编程驱动强度IO缓冲器
• 电源和用户接口
  • VBAT ：2.5V至5.5V
  • VDD ：1.65V至1.95V
  • IOVDD：1.2V或1.8V
  • I^2^S/TDM：8通道
  • I^2^C：4个可选地址
• WCSP封装

功能框图

Texas Instruments TAS2572数字输入D类音频放大器深度解析

一、核心特性与技术创新

TAS2572是TI最新推出的数字输入智能音频放大器解决方案，集成了多项突破性技术：

1. ‌高效能音频输出‌
   • 6.6W输出功率(1% THD+N)
   • 集成13V Class-H升压转换器(最大4A电流限制)
   • 系统级效率高达90%
   • 7μV A加权空闲通道噪声
2. ‌先进电源管理‌
   • 支持1-3节Li-ion电池(2.5V至5.5V)
   • 4.8mW超低空闲功耗
   • 33mV步进精度的Class-H升压技术
   • 集成Y桥架构优化效率
3. ‌专业级音频性能‌
   • 109dB动态范围
   • -90dB THD+N
   • 支持16kHz至192kHz自动时钟检测
   • 集成超声波音调发生器

二、架构设计与关键子系统

1. 集成式IV传感技术

• 实时监测扬声器电压/电流(IV-Sense)
• 支持DSP运行扬声器保护算法
• 在保证安全前提下提升输出SPL
• 可直接连接扬声器端子(建议添加EMI滤波电阻)

2. 智能电源管理系统

• 电池跟踪峰值电压限制器
• 集成电压监测ADC(用于电池状态算法)
• 可编程电池输入电流限制

3. 数字音频接口

• 支持I2S/TDM(8通道)
• MCLK-free操作模式
• 4个可配置I2C地址(AD1/AD2引脚控制)
• 可编程驱动强度IO缓冲器

三、典型应用设计指南

1. 移动设备音频方案

‌推荐配置‌：

• VBAT: 3.7V(1节锂电)
• PVDD: 13V(内部Boost生成)
• 输出滤波器：2.2μH+1μF(4Ω负载)
• IV传感走线长度<10mm

‌性能指标‌：

• 音乐播放效率>85%(平均输出1W时)
• 待机功耗<5mW
• 总谐波失真<0.1%(1kHz, 1W输出)

2. 多设备同步设计

利用TDM接口实现：

• 最多4设备共享总线
• 同步时钟误差<100ps
• 共用IRQZ中断信号线
• 独立I2C地址配置(AD1/AD2组合)

四、硬件设计要点

1. 电源设计

• VBAT旁路电容：10μF+100nF(紧贴引脚)
• PVDD电容：4.7μF×3(低ESR陶瓷)
• IOVDD电平：1.2V/1.8V可选
• VDD供电：1.8V±5%

2. PCB布局建议

1. 功率地(PGND/BGND)单独铺铜
2. IV传感走线差分等长(±50μm)
3. SW节点面积最小化
4. 散热过孔阵列(DSBGA封装下方)

3. 保护电路设计

• 扬声器端TVS二极管(18V)
• I2C总线ESD保护(>8kV)
• 热关断阈值：170°C(迟滞10°C)

五、性能参数详解

参数	条件	典型值	单位
输入范围	VBAT	2.5-5.5	V
升压输出	PVDD	13	V
开关频率	Class-D	1.5	MHz
信噪比	A加权	109	dB
工作温度	-	-40至85	°C

六、应用场景拓展

1. ‌智能语音设备‌：IV传感实现扬声器健康监测
2. ‌TWS耳机充电盒‌：超低功耗延长待机时间
3. ‌车载信息娱乐‌：45V负载突降耐受能力
4. ‌AR/VR头显‌：高保真音频与紧凑尺寸结合