恩智浦前端解决方案改变5G格局

恩智浦半导体在6月12日宣布推出用于实现5G基础设施的新型射频前端解决方案。恩智浦的产品组合解决了在开发用于5G大规模多输入多输出（mMIMO）的蜂窝基础设施时，涉及的几个最棘手的问题，包括功率放大器集成、不断缩小的电路板空间、实际占位面积以及不同型号之间的引脚兼容性。

mMIMO是5G的重要基础，因为它能够满足网络对射频（RF）技术的需求，以应对5G即将带来的数据使用量激增。mMIMO在特定频谱中传输的数据量远多于当前和传统的无线电技术。

恩智浦在本周的国际微波研讨会（IMS2018）上推出面向5G的新型前端解决方案，旨在应对开发外形尺寸最小的经济高效型高性能解决方案的关键挑战，为蜂窝基础设施提供新一代有源天线系统（AAS）。简而言之：将mMIMO需要的一切功能集成到尽可能小的器件中。

恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解决方案组合来应对这一挑战，因而对客户来说更加易用和经济高效，并在所有频段和功率水平之间实现即插即用。恩智浦前端解决方案产品线总监Mario Bokatius表示：“开发这些器件的目的是让客户能够以尽可能低的成本设计他们的系统。”

恩智浦前端解决方案覆盖了对早期5G蜂窝网络开发最关键的频率范围，即2.3 GHz至5 GHz。

用于5G实现的恩智浦前端解决方案包括对开发mMIMO射频前端最关键的三种不同功能：

· 高效率功率放大器模块（PAM），在输入端和输出端完全匹配至50 Ohm，实现了占位面积和引脚兼容，覆盖广泛的功率水平范围和频段，并采用相同的板设计；

· 前置驱动器放大器模块，具有超低的功耗，覆盖从2.3 GHz到5 GHz的整个频率范围，在器件系列内部实现完全的占位面积和引脚兼容；

· 接收器前端模块，提供集成的时分双工（TDD）切换和用于信号接收的低噪声放大（LNA）功能。

Bokatius表示：“我们在不影响高性能要求的前提下提供最高的集成度，但这只是一个开始。展望未来，随着恩智浦继续致力于提供业界占位面积最小、成本最低的解决方案，我们还将实现更多的集成。”

恩智浦充分利用硅基LDMOS技术，为射频产品客户提供最有利的成本结构。自从几十年前问世以来，LDMOS经历了持续创新。LDMOS能够提供持续提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再结合出色的耐用性和低发热特征，这些优点使得它成为射频功率放大器应用中的主导器件技术，适用于从1 GHz以下到3 GHz的频率范围。恩智浦的LDMOS技术现在将其领先地位扩展到高达5 GHz的频率范围。使用LDMOS技术，这些解决方案能够提供与非硅基射频功率晶体管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。

恩智浦资深副总裁兼射频功率事业部总经理Paul Hart表示：“凭借我们的领先优势和在无线通信行业的雄厚技术实力，我们在作为合作伙伴继续为客户提供5G解决方案方面处于非常有利的地位。”