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‌CSD96370Q5M同步降压NexFET™功率级芯片技术文档总结

科技绿洲 2025-08-08 09:48 次阅读
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CSD96370Q5M NexFET 功率级经过优化设计,适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术,以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率、高速开关器件,并且由于其大型接地导热垫,采用小型 5 mm × 6 mm 外形封装,可提供出色的散热解决方案。此外,PCB封装也经过优化,有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件:csd96370q5m.pdf

特性

  • 25A 时系统效率为 90%
  • 高频工作(高达 2MHz)
  • 采用电源块技术
  • 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封装
  • 25A时低功耗2.6W
  • 超低电感封装
  • 系统优化的PCB封装
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 3 态 PWM 输入
  • 集成自举二极管
  • 偏置前启动保护
  • 射穿保护
  • 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀无卤素
  • 应用
    • 同步降压转换器
    • 多相同步降压转换器
    • POL DC-DC 转换器
    • 内存和显卡
    • 台式机和服务器VR11.x和VR12 V核
      同步降压转换器
      参数
      image.png
      方框图
      image.png

1. 产品概述
CSD96370Q5M是德州仪器(TI)推出的高密度同步降压功率级解决方案,集成增强型栅极驱动IC和Power Block技术,采用5mm×6mm SON封装,专为高频(最高2MHz)、高效率(25A负载下90%系统效率)的同步Buck转换器设计。适用于服务器/桌面VR11.x/VR12核心供电、多相Buck转换器及负载点(POL)DC-DC转换等场景。

2. 核心特性

  • 高效能‌:2.6W低功耗(25A时),支持3.3V/5V PWM信号兼容。
  • 高集成度‌:内置自举二极管、预偏置启动保护、击穿保护功能。
  • 热优化‌:超低热阻(RθJC 20°C/W),支持-40°C至150°C工作温度。
  • 简化设计‌:优化PCB布局,减少寄生电感,提供系统级性能曲线(如功率损耗、SOA)。

3. 关键参数

  • 电气规格‌:输入电压3.3-13.2V,连续输出电流40A(峰值60A),开关频率200kHz-2MHz。
  • 保护功能‌:ESD防护(HBM 2kV)、欠压锁定(UVLO)、3态PWM关断。
  • 驱动性能‌:4A峰值栅极驱动电流,传播延迟≤100ns。

4. 应用设计要点

  • PCB布局‌:优先放置输入电容靠近VIN/PGND引脚,自举电容(0.1μF)需紧邻BOOT/BOOT_R。
  • 热管理‌:建议使用热通孔阵列将热量传导至接地层,垂直安装PCB可提升散热能力。
  • 功率估算‌:提供归一化曲线,支持根据实际工况(频率/电压/电感)调整损耗与SOA边界。

5. 封装与订购

  • 22引脚LSON-CLIP封装(5mm×6mm),卷带包装(2500片/卷)。
  • 型号标识:CSD96370Q5M(标准版)、CSD96370Q5M.B(扩展温度版)。
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