TPS2400 具有 100V 输入瞬态保护的 5.5V 过压保护控制器数据手册

TPS2400 过压保护控制器与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用 将敏感电子元件与破坏性的电压尖峰和浪涌隔离开来。它具体 旨在防止与汽车环境相关的大电压瞬变（负载突降） 防止损坏敏感电路。当检测到潜在的破坏性电压电平时 TPS2400在发生任何损坏之前断开电源与负载的连接。
*附件：tps2400.pdf

内部电路包括修整带隙基准、振荡器、齐纳二极管、电荷 pump、comparator 和 control logic。TPS2400 器件设计用于外部 N 沟道 MOSFET，可在各种电压下轻松获得。

特性

• 高达 100V 的过压保护
• 6.9V 过压关断阈值
• 3V 欠压关断阈值
• 过压关断时间 小于 1 μs
• 由
  内部电荷泵驱动的外部 N 沟道 MOSFET
• 1mA 最大静态电源电流
• 5 引脚 SOT–23 封装
• –40°C 至 85°C 环境温度范围
• 2.5kV 人体模型 500V CDM
  静电放电保护

参数

方框图

. 产品概述

TPS是一款过压保护控制器，用于在检测到潜在的破坏性电压尖峰或浪涌时，通过外部N沟道MOSFET快速隔离敏感电子设备。它适用于需要保护负载免受高电压瞬态影响的场景，如汽车环境（如负载突降）。

. 主要特性

• ‌高电压保护‌：支持高达V的过压保护。
• ‌快速响应‌：过压关断时间小于µs。
• ‌低静态电流‌：最大静态供电电流为mA。
• ‌宽工作温度范围‌：-°C至°C。
• ‌静电放电保护‌：符合HBM .kV和CDM V标准。
• ‌小型封装‌：采用引脚SOT-封装。

. 应用领域

• 车载电子设备（如手机、PDA、便携式PC、媒体播放器、数字相机、GPS等）。
• 任何需要防止电压瞬态损坏敏感负载的设备。

. 功能描述

• ‌过压和欠压保护‌：当输入电压超过设定的过压阈值（.V）或低于设定的欠压阈值（V）时，TPS将关闭外部MOSFET，从而隔离负载。
• ‌内部电荷泵‌：为外部MOSFET的栅极驱动电路提供所需电压。
• ‌Zener二极管‌：限制内部电源轨和栅极输出电压。
• ‌关断MOSFET‌：在过压或欠压事件发生时，关闭外部N沟道MOSFET以隔离负载。

. 典型应用

• ‌过压保护电路‌：文件提供了使用TPS构建过压保护电路的示例，包括如何连接外部MOSFET、感测电阻、输入和输出电容等。
• ‌高侧和低侧开关过压保护‌：详细说明了如何配置TPS以驱动高侧或低侧开关，从而保护V负载。

. 设计指南

• ‌输入电压范围‌：推荐在.V至.V之间操作，但VIN引脚可耐受高达V的电压。
• ‌感测电阻选择‌：根据所需的电流限制和TPS的内部参考电压选择合适的感测电阻值。
• ‌布局考虑‌：避免GATE引脚到GND的泄漏路径，以减小对GATE输出电流的影响。

. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOT-（引脚）。
• ‌封装尺寸‌：.mm x .mm。

. 文档支持

• 提供了详细的数据手册，包括引脚配置、电气特性、典型特性曲线、应用信息和布局指南。
• 提供了相关的应用笔记和社区资源链接，以帮助用户更好地理解和使用TPS。