MOS管制造工艺流程解析

行业背景

随着新能源汽车、5G、AI等新型应用领域爆发，MOS管在电机驱动等场景需求也随之激增，国产替代加速，对MOS管的工艺和性能提出了更高的要求。作为重要的分立元器件之一，如此微小而精密的电子元器件是如何生产的呢?其中又涉及到哪些高科技工艺?今天合科泰带您进入MOS管的微观世界。

MOS管的构成与原理

MOS管全称是MOSFET，核心结构包括半导体基地、绝缘层、栅极、源极与漏极、寄生二极管。通过电场调控和半导体特性协同，可以实现高效的电能控制与信号放大功能。半导体基地(衬底)作为载体，栅极施加电压后，绝缘层下方电场可在衬底表面形成导电沟道;源极注入载流子，漏极收集载流子导通电流，通过寄生二极管固定封装极性，简化电路设计。

MOS管制造工艺流程

MOS管的制作流程复杂且精密，主要涉及到8个大的流程，衬底准备、氧化层形成、光刻与栅极制作、源漏区掺杂、退火处理、金属化与互连。根据不同结构的制作内容进行分类说明如下：

1、材料选择：选择高纯度的单晶硅，使用机械抛光和化学清洗的方式去除表面杂质。

2、预处理：去除杂质的硅片需经过退火以及氧化处理，可形成初始氧化层增强表面的稳定性，比如二氧化硅。

3、热氧化：把硅片放置到高温炉，其中通入氧气和水蒸气，可以生成通常厚度为20-300nm的二氧化硅绝缘层。

4、化学气相沉积CVD：通过气体反应物在硅的表面沉积二氧化硅，可以用在形成栅氧化层或者场氧化层。

5、多晶硅沉积：用CVD或者PVD的方法在在绝缘层上沉积厚度约200-300nm的多晶硅层。

6、光刻与刻蚀：涂覆光刻胶并曝光掩膜图案，显影后保留栅极区域的多晶硅;干法刻蚀去除多余多晶硅，形成栅极结构。

7、离子注入：通过光刻定义源漏区窗口，注入磷(N型)或硼(P型)离子，形成低掺杂浓度区域(LDD区)高温退火(约1000℃)激活掺杂剂并修复晶格损伤

8、高掺杂：在源漏区边缘进行二次离子注入，形成高掺杂浓度区域(如N+或P+)，降低接触电阻

合科泰MOS管推荐

基于上述精密工艺，合科泰建立了一套标准化、流程化的品质管理体系，全方位保证产品的质量，覆盖多场景应用需求的MOS管产品。以下是合科泰精选在导通电阻、开关速度、耐压能力等关键指标具有显著优势的MOS管，详细参数如下：

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公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。

产品包括：

1、半导体封装材料;2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感;3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。

合科泰设有两个智能生产制造中心：

1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地;

2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台;

2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是顺芯半导体、南充安昊、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料;产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。

合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。

合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。

产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。