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简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制的七款电路详解)

灯光控制电路 来源:网络整理 2018-03-23 15:57 次阅读

简单的路灯自控电路图(一)

如图1所示。当光照度逐渐减弱,光敏电阻电阻值逐渐增大,A点电压随Cds的增大而降低,B点电压亦随之下降。当B点电压降至IC的下限电压VIL即1/3VCC时,IC的第三脚输出由原来的低电位变为高电位,推动三极管C、E导通,使得原本是NC继电器切换到NO绿灯亮起。如果此时光照度的波动引起B点电压在1/3VDD上下波动,因不能达到2/3VDD,即IC 的上限电压VIH,所以IC的第三脚输出保持不变,即使此时偶然强光(例如:闪光灯)照射光敏电阻Cds引起A点电压突然高于2/3Vcc,因A点对C1充电,所以B点电压不能突然改变,IC的第三脚输出仍然保持不变。

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

图1 光控路灯自动控制电路图

直到第二天的黎明来临时,光照度逐渐增强,Cds阻值逐渐减小,A点电压随Cds阻值减少而上升,B点电压也随之上升,当B 点电压升至IC的上限电压VIH,即2/3Vcc 时,IC的第三脚输出由原来的高电位变为低电位,使得三极管C、E间断路,继电器由NO切回到NC红灯亮起。如果此时光度的波动引起B点电压在2/3Vcc上下波动,因不能达到1/3Vcc,即IC的下限电压,所以IC的第三脚输出保持不变。

简单的路灯自控电路图(二)

如图所示是一个性能良好的光控自动路灯电路,它具有灵敏度高、性能稳定和抗干扰性能好等特点。图中,R1、C1组成干扰脉冲吸收电路,可防止夜间短暂光线照射或白天落叶、飞纸等短暂遮挡等因素使电路发生误动作。T采用220V/25V、25VA优质电源变压器,要求长时间通电不发热。K可采用JQX-13F、DC24V触点容量为AC220V、15A中功率电磁继电器

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

简单的路灯自控电路图(三)

白天由于光线充足,BG3导通,SCR阻断,由IC等构成的振荡电路无电压不能工作,故指示灯不亮。夜晚,由于BG3截止,SCR受触发而导通,所以由IC等构成的振荡电路启振,IC的3不断输出超低频方波,其频率f=1/T=1.44/(W+Ra+2Rb)·C,可看到IC的3与地间所接的指示灯一闪一闪发光,十分醒目。调整Ra·Rb成C1的大小可改变闪光的频率。

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

简单的路灯自控电路图(四)

该装置的电路工作原理见图12。白天当有较强的光线照射在光敏电阻RG上时,RG的内阻很小,相当于LSE的①、②脚间串通,此时LSE的④脚输出高电平,三极管VT截止,继电器J释放,路灯H无电源熄灭。一旦夜幕降临,外界的光线很弱,RG的内阻上升,相当于LSE的①、②脚阻断,故LSE的④脚变为高电平,三极管VT导通,J励磁吸合,常开触点j1-1、j1-2闭合,照明灯H获得电源而点亮。

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

简单的路灯自控电路图(五)

路灯安装一般采用地沟穿管暗敷布线的方法。控制部分安装在大门口或在电工房值班室内统一控制。某厂区内的路灯如图a所示。它除了方便交通外,也是人们在公路两旁休闲、散步、游玩、锻炼身体的地方。

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

光控路灯电路的工作原理:光控路灯的特点是具有工作稳定、可靠,不会因偶然的强光照射而引起误动作或闪烁。

该光控路灯电路由光控触发器电路、开关电路和电源电路组成,如图16-45b所示。光控路灯电路中,光控触发器电路由光敏电阻器RG.电位器RP、电容器C3、电阻器R3和时基集成电路NE555组成;开关电路由晶闸管VTH、电阻器R2和发光二极管LED组成;电源电路由降压电容器Ci、电阻器R,稳压二极管v5、整流二极管VD和滤波电容器G组成。交流220V电压经Cl降压、vs稳压、VD整流及C2滤波后,产生8.5V(V0)直流电压供给NE555。

在白天,光敏电阻器RG受光照射而呈低阻状态,NE555的②脚和⑥脚电位高于2V.T/3,NE555的③脚输出低电平,发光二极管LED不发光,晶闸管VTH处于截止状态,照明灯EL不亮。

当夜幕降临时,光照度逐渐减弱,光敏电阻器RG的阻值逐渐增大.NE555的②脚和⑤脚电压也开始下降,当两脚电压降至V“/3时,NE555内部的触发器翻转。③脚由低电平变为高电平,使LED导通发光.VTH受触发而导通,将照明灯EL点亮。

简单的路灯自控电路图(六)

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

如图所示为高性能路灯光电控制电路。该电路由光电转换元件LDR、比较电路IC1(555)、单稳定时电路IC2等组成。其中IC2与BG1、BG2又构成“动作闭锁”回路,LDR元件采用光敏电阻。

当LDR受到光照时,其呈低阻值,555因②脚输入低电平而发生置位,③脚输出高电平,因此继电器J不动作,发光二极管LED1不发光。夜间,LDR因受不到光照而呈高阻值,555因②脚输入高电平而发生复位,③脚输出低电平,从而使继电器J吸合,发光管LED1发光。此时又触发IC2工作,使其输出定时为td=1.1R7C6(约10分钟)的信号,相应发光二极管LED2发光。这样l0分钟内,可以解决继电器在“临界动作点”不稳定的问题。电路中的“动作闭锁”回路也可以克服继电器在临界动作点因光线不稳定变化而频繁动作的缺点。因此本电路实现了对路灯的高性能的光电控制作用。

简单的路灯自控电路图(七)

采用功率开关TWH875的路灯自动控制器电路设计

电路工作原理:该光控路灯电路由电源电路和光控电路组成,如图所示。电源电路由电源变压器T、整流二极管VDl-VD4和滤波电容器C组成。光控电路由光敏电阻器RG、电阻器R1、R2、可变电阻器RP、电子开关集成电路IC、继电器K和二极管VD5组成。交流220V电压经T降压、VDl-VD4整流和C滤波后,为光控电路提供+l2V工作电源。白天,RG受光照射而呈低阻状态,使IC的2脚(选通端)和4脚(输出端)均为高电平,其内部的电子开关处于截止状态,K不吸合,路灯EL不亮。夜晚,RC无光照射呈高阻状态,IC的2脚变为低电平,其内部的电子开关接通,EL点亮。调节RP的阻值,可改变光控的灵敏度。

简单的路灯自控电路图大全(光控触发器/NE555/光电控制电路详解)

Rl和R2选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。RP选用实心可变电阻器。RG选用RG45系列的光敏电阻器。C选用耐压值为16V的铝电解电容器。VDl-VD5选用1N400l或lN4007型硅整流二极管。IC选用TWH8751型电子开关集成电路。K选用JZX-22F型(触头电流负荷为IOA)l2V直流继电器,可将其两组常开触头并联使用。T选用3-5W、二次电压为l2V的电源变压器。 制作时可自制印刷电路板,也可使用万能印刷电路板,电路安装完成后,只要线路正确,一般无需调试即可正常使用。

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    的头像 FPGA之家 发表于 06-01 11:25 1881次 阅读
    详解亚稳态的理论以及使用建议

    SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

    SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM,由32位524,288个字组成。可在两种模式:主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性,此特性可由一个主器件启动。根据用户需要,可提供3个读周期和4个写周期(描述如下)。 特性 20ns读取,13.8ns写入(最大存取时间) 与商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 内置EDAC(错误侦测和校正)以减轻软错误 用于自主校正的内置引擎 CMOS兼容输入和输出电平,3态双向数据总线 3.3±0.3VI /O,1.8±0.15V内核 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 设计使用基底工程和抗辐射(HBD)与硅空间技术公司(SST)许可协议下的< sup> TM 技术和存储器设计。 TID抗扰度&gt; 3e5rad(Si) SER&lt; 5e-17翻转/位 - 天使用(CRPLE96来计算用于与地同步轨道,太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV (T = 398K) 采用76引线陶瓷方形扁平封装 可提供工程评估(/EM)样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程(例如,无预烧过程等),...
    发表于 01-08 17:47 463次 阅读
    SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

    SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

    与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C)   SN74HCT273A HCT     2     6     Catalog     -40 to 85    
    发表于 01-08 17:46 396次 阅读
    SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

    SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

    与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C)   SN74HC273A HC     2     6     8     Catalog     -40 to 85    
    发表于 01-08 17:46 495次 阅读
    SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

    SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

    这个10位触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 < p> SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(...
    发表于 10-11 14:49 166次 阅读
    SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

    SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    'ABT16374A是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 特性 ...
    发表于 10-11 11:46 284次 阅读
    SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    'AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40°C至85°C。   特性 德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM(...
    发表于 10-11 11:32 298次 阅读
    SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

    CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。 特性 Ioff支持部分省电模式操作 边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性 典型的输出偏斜< 250 ps ESD&gt; 2000V TSSOP(19.6密耳间距)和SSOP(25密耳间距)封装 工业温度范围-40°C至+ 85°C VCC= 5V±10% CY74FCT16374T特点: ...
    发表于 10-11 11:28 444次 阅读
    CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

    SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

    这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 < p> SN74ALVCH16260的工...
    发表于 10-11 11:08 106次 阅读
    SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

    SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V ±24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入...
    发表于 10-11 11:06 157次 阅读
    SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

    SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

    这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...
    发表于 10-11 11:02 344次 阅读
    SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

    SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

    这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 典型VOLP(输出接地反弹) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压) < li>数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 < ul> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...
    发表于 10-11 11:00 440次 阅读
    SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

    SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

    SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...
    发表于 10-11 10:51 152次 阅读
    SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

    SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

    这些18位总线接口触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...
    发表于 10-11 10:48 116次 阅读
    SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

    SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

    'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...
    发表于 10-11 10:45 193次 阅读
    SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

    SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

    这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...
    发表于 10-11 10:43 268次 阅读
    SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

    SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

    'ALVTH16821器件是20位总线接口触发器,具有3态输出,设计用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...
    发表于 10-11 10:35 76次 阅读
    SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

    SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

    'ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p> 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度...
    发表于 10-11 10:31 115次 阅读
    SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

    SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

    这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...
    发表于 10-10 17:15 225次 阅读
    SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

    SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

    SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus™系列的成员 EPIC™(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装 < li>薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   ...
    发表于 10-10 16:23 226次 阅读
    SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器