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TPS53625 用于 VR12.0 微服务器的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器数据手册

科技绿洲 2025-03-25 10:34 次阅读
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TPS53625 器件是一款无人驱动、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。先进的控制功能,如具有重叠脉冲的 D-CAP+ 架构,支持下冲减少 (USR) 和过冲减少 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 模式下进行单相作,以实现轻负载效率。TPS53625 设备集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许从 0 到 7 进行编程。V 的可调控制转换速率和电压定位完善了 VR12.0 的功能。该解决方案与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用,可提供极高的速度和低开关损耗。TPS53625 器件可与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品配合使用,以实现最佳效率。TPS53625器件的默认引导电压为 1 V。应用可以通过在设计中加入外部电阻分压器来覆盖默认引导电压。TPS53625器件封装是一种节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
*附件:TPS53625 Short 数据表.pdf

特性

  • 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
  • 1 相或 2 相作
  • 支持零负载和非零负载线路应用
  • 8 位 DAC 输出范围:0.25 V 至 1.52 V
  • 优化了轻负载和重负载下的效率
  • 8 个独立的过冲减少 (OSR) 和下冲减少 (USR) 级别
  • 驱动器配置,实现高效的高频开关
  • 支持分立、Power Block、Power Stage 或 DrMOS MOSFET 实现
  • 准确、可调的电压定位
  • 300 kHz 至 1 MHz 频率选择
  • 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 小型 4 mm × 4 mm、32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • 产品名称‌:TPS53625
  • 类型‌:2相D-CAP+™降压控制器
  • 应用‌:VR12.0 V CPU核心内存
  • 特点‌:
    • VR12.0串行VID(SVID)兼容
    • 支持1相或2相操作
    • 支持零负载和非零负载线路应用
    • 8位DAC输出范围:0.25 V至1.52 V
    • 优化轻载和重载效率
    • 8级过冲减少(OSR)和下冲减少(USR)
    • 无驱动器配置,支持高频高效切换
    • 支持离散、Power Block、Power Stage或DrMOS MOSFET实现
    • 精确、可调电压定位
    • 频率选择:300 kHz至1 MHz
    • 专利AutoBalance相位平衡
    • 可选8级电流限制
    • 转换电压范围:4.5 V至28 V
    • 小型4 mm × 4 mm 32引脚VQFN PowerPAD™集成电路封装

2. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:VQFN(32)
  • 尺寸‌:4.00 mm × 4.00 mm

3. 主要特性

  • 高级控制功能‌:D-CAP+架构,支持重叠脉冲,具有USR和OSR功能,提供快速瞬态响应、低输出电容和高效率。
  • VR12.0 I/O功能‌:集成VR_READY(PGOOD)、ALERT和VR_HOT。
  • SVID接口‌:允许从0到7的编程。
  • 电压定位‌:可调VOUT上升率和电压定位,完善VR12.0功能。
  • 高效切换‌:与TPS51604 FET栅极驱动器配合使用,实现高速和低切换损耗。
  • 热增强封装‌:空间节省型、热增强型32引脚VQFN封装,工作温度范围-40°C至105°C。

4. 应用领域

  • 核心内存供电

5. 设计支持

  • 提供简化的原理图示例。
  • 支持TI E2E™支持论坛,提供快速验证的答案和设计帮助。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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