TPS53625 器件是一款无人驱动、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。先进的控制功能,如具有重叠脉冲的 D-CAP+ 架构,支持下冲减少 (USR) 和过冲减少 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 模式下进行单相作,以实现轻负载效率。TPS53625 设备集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许从 0 到 7 进行编程。V 的可调控制外转换速率和电压定位完善了 VR12.0 的功能。该解决方案与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用,可提供极高的速度和低开关损耗。TPS53625 器件可与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品配合使用,以实现最佳效率。TPS53625器件的默认引导电压为 1 V。应用可以通过在设计中加入外部电阻分压器来覆盖默认引导电压。TPS53625器件封装是一种节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
*附件:TPS53625 Short 数据表.pdf
特性
- 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
- 1 相或 2 相作
- 支持零负载和非零负载线路应用
- 8 位 DAC 输出范围:0.25 V 至 1.52 V
- 优化了轻负载和重负载下的效率
- 8 个独立的过冲减少 (OSR) 和下冲减少 (USR) 级别
- 无驱动器配置,实现高效的高频开关
- 支持分立、Power Block、Power Stage 或 DrMOS MOSFET 实现
- 准确、可调的电压定位
- 300 kHz 至 1 MHz 频率选择
- 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
- 可选 8 级电流限制
- 4.5V 至 28V 转换电压范围
- 小型 4 mm × 4 mm、32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装
参数
方框图
1. 产品概述
- 产品名称:TPS53625
- 类型:2相D-CAP+™降压控制器
- 应用:VR12.0 V CPU核心内存
- 特点:
- VR12.0串行VID(SVID)兼容
- 支持1相或2相操作
- 支持零负载和非零负载线路应用
- 8位DAC输出范围:0.25 V至1.52 V
- 优化轻载和重载效率
- 8级过冲减少(OSR)和下冲减少(USR)
- 无驱动器配置,支持高频高效切换
- 支持离散、Power Block、Power Stage或DrMOS MOSFET实现
- 精确、可调电压定位
- 频率选择:300 kHz至1 MHz
- 专利AutoBalance相位平衡
- 可选8级电流限制
- 转换电压范围:4.5 V至28 V
- 小型4 mm × 4 mm 32引脚VQFN PowerPAD™集成电路封装
2. 封装与尺寸
- 封装类型:VQFN(32)
- 尺寸:4.00 mm × 4.00 mm
3. 主要特性
- 高级控制功能:D-CAP+架构,支持重叠脉冲,具有USR和OSR功能,提供快速瞬态响应、低输出电容和高效率。
- VR12.0 I/O功能:集成VR_READY(PGOOD)、ALERT和VR_HOT。
- SVID接口:允许从0到7的编程。
- 电压定位:可调VOUT上升率和电压定位,完善VR12.0功能。
- 高效切换:与TPS51604 FET栅极驱动器配合使用,实现高速和低切换损耗。
- 热增强封装:空间节省型、热增强型32引脚VQFN封装,工作温度范围-40°C至105°C。
4. 应用领域
- 核心内存供电
5. 设计支持
- 提供简化的原理图示例。
- 支持TI E2E™支持论坛,提供快速验证的答案和设计帮助。
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