特瑞诺(TRINNO)采用最新技术的1350V高频IGBT器件

随着技术的不断进步，IGBT的设计和制造也在持续优化。现代IGBT模块不仅提高了效率和可靠性，还减小了尺寸和重量，这对于空间受限的应用尤为重要。

此外，通过集成智能控制和保护功能，IGBT模块能够更有效地管理电力系统，确保其安全稳定运行。随着全球对高效能源利用和减少碳排放的需求日益增长，IGBT技术的发展将继续扮演关键角色，推动电力电子技术向更高效、更环保的方向发展。

特瑞诺TIRNNO凭借多种 1350V 功率器件进入IGBT市场，旗下的 1350V 系列IGBT 采用坚固、经济高效的逆导型场阻沟槽IGBT技术，在高达 175°C 的工作温度下提供极低的传导和开关损耗性能以及高水平的坚固性。

TGA系列IGBT可配备全额定或半额定二极管，或保护二极管以防止意外反向偏置，从而为优化特定应用需求的行为提供了额外的自由。

其中一款产品是20A的 TGAN20S135FD IGBT，采用TO-3PN封装技术，TIRNNO通过在其综合产品组合中增加 IGBT，满足了对具有一系列性能和成本标准的高效高压开关器件日益增长的需求，这使公司能够满足各种客户需求，这提高了电源逆变器、感应加热器、变频微波炉和软件开关应用的效率和可靠性。

TGAN20S135FD IGBT 特征：

·1350V 逆导型场阻沟槽IGBT技术

·优异的电磁干扰(EMI)性能

·高速开关

·低导通损耗

·正温度系数

·易于并联运行

·175℃工作温度

·符合RoHS标准

·JEDEC认证

应用：

·感应加热

·变频微波炉

·软开关应用