据天眼查披露,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司近期获得了一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利用于2024年3月26日,授权公告码为CN111900088B,申请日期为2019年5月5日。
该发明提出一种制备半导体器件的新方法,首先需要在基板上制备划分明确且排列整齐的鳍部;之后在基板上构建覆于鳍部之上的伪栅结构;再制备并在伪栅结构上方安装一层第一层间介电层,此层上表面比伪栅结构低;接着需确定切割开口的形状和位置;最后用腐蚀的方式逐渐揭露衬底层,形成指定大小的切割口;然后制在第一层间介电层之上覆盖上一层第二层间介电层,以填充剪切口,使其顶部与伪栅结构达到平整状态;这项发明能显著提高半导体器件的工作稳定性。
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