维也纳工业大学创新晶体管技术：RFET

奥地利维也纳工业大学科研团队近日研发了全新的晶体管技术——可重构场效应晶体管（RFET），致力于打造具备实时可编程能力的电路。对比之下，作为计算机中央处理器（CPU）核心组成部分的数十亿个晶体管，往往被专用于某个特定功能。

因此，常规晶体管的制造及生产步骤中包含了“化学掺杂”环节，即将纯半导体材料引入杂质，借此调整其电气特性。这种掺杂方式直接影响电流流向，形成固定模式，无法进行修改。相比之下，RFET采用静电掺杂法，成功绕开了对化学结构造成永久性伤害的问题。

通过静电掺杂代替昂贵且繁琐的化学掺杂后，晶体管得以实现动态的重新配置，换言之，执行多样化的逻辑算。研究员们认为RFET堪称电子电路与芯片设计领域的重要突破。类似于现有的半导体工业，RFET同样基于硅和锗两类材质，但却能大幅度提升能耗与效率。自2021年初起步至今，研究者已初步证实RFET能有效构建芯片内的全部基础逻辑电路。

近期发布的研究论文揭示，RFET亦能应用于生成反相器、NAND/NOR以及XOR/XNOR等电路，而且这些电路均具备运行时动态切换工作模式的能力。