5G基站电源的多款型号代换型号：170N1F4A场效应管有效契合电路！

依据研究机构数据分析：2019年全球5G基站电源市场规模约为13亿美元，预计到2025年将达到40亿美元，年复合增长率约为20%。而在我国截至2023年5月，5G基站总数已达284.4万个。

一系列的数据说明5G基站电源厂商需要加大研发投入来提升自身产品才能在市场中提升占有率。而MOS管作为5G基站电源的重要部件，则更需要有优质的产品推荐。

目前在市场上有SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等多款国内外产品能应用于5G基站电源的电路中，今天分享电子工程师可以如何选用优质国产化MOS管。

在全面国产化的时代，如何选择能代换SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7型号场效应管用于电路开发中则是工程师中热门话题。今天我们来了解一款170N1F4A型号场效应管，它是一款纯国产MOS管半导体元器件，能够替代上述型号参数在5G基站电源中使用。

目前在国产市场中170N1F4A型号场效应管是能有效在5G基站电源中使用，这一点是已经获得众多的电源厂家所认可的。除了最基本的172A、100V参数外，还因其具备优秀的产品特点：

1、低栅极电荷

2、低 Crss (典型值 33 pF)

3、开关速度快

4、100%经过 Rg 测试

5、100%经过雪崩测试

6、100%经过热阻测试

7、RoHS产品

8、SGT工艺

当然除了产品具备的优良特点外，170N1F4A能替代SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等MOS管型号型号其还具备优良的参数：

1、Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；

2、ID（A）：172A；BVdss（V）：100V

3、最大脉冲漏极电流（IDM ）：480A

4、N 沟道增强型场效应晶体管

5、选用TO-220封装产品可用于5G基站电源中

6、反向传输电容：33pF

7、静态导通电阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

对于想要升级5G基站电源质量的厂商要选择好的MOS管产品应用，建议选用170N1F4A型号场效应管。

飞虹半导体在为电子厂商专业的产品，一站式配齐功率器件的服务，始终站在用户需求出发。

它良好的制作工艺与参数性能给5G基站电源做更好的适配，保障产品的可靠性。

国产市场快速迭代，产品质量提升选对型号很重要。

审核编辑：刘清