基于RL78-FDL库实现RL78G13 Data Flash的读写操作

前 言

在许多实际项目中是需要在MCU掉电前保存一些数据，以供MCU在下一次上电后能读取。而瑞萨的MCU RL78G13能通过瑞萨免费提供的数据闪存编程库（FDL）来简单快捷地实现内部Data Flash的读写操作。

本文是基于CS+(for CC) 开发环境，MCU是R5F100LE，FDL库文件是在瑞萨官网下载的FDL_RL78_Type04_Installer_V200-doc-e.zip。

首先我们先解压安装好FDL库

选择CC-RL版本

安装好后在文件夹里有以下4个文件，之后需要添加到工程里面。

之后新建一个工程，并添加刚才4个文件到工程中，由于FDL库的运行需要用到MCU的内部时钟，所以选择默认的内部时钟（fIH），频率32M。

选择使用Data Flash，并点击生成代码（Generate Code）

这样我们就已经生成了基于FDL库的代码，现在直接调用代码中的函数就能实现读写Data Flash。

我们现在来测试一下，本次测试的预想结果是在MCU的dataflash起始地址F1000H写入5个数据，然后再从中读取存放到目标数组中。

首先我们在r_main.c文件中定义两个数组，tx_buf1为写入数据的数组，rx_buf1为读取数据的数组。然后在main函数中调用r_cg_pfdl.c中的一些函数，如下图所示代码：

在读写Data Flash时，首先调用R_FDL_Open函数来实现启动FDL库，之后我们擦除目标地址的数据，该MCUu是4k的Data Flash，而FDL库每次操作擦除的地址是1k，所以把4k的地址分为4个块，而目标地址F1000H处于块0，即调用R_FDL_Erase(0);然后在F1000H的地址开始写入数组tx_buf1的5个数据，调用R_FDL_Wirte(0x0000, tx_buf1[0],5);0x0000为F1000H的相对地址，此说明在该FDL库的用户手册有写到，如下图：

从F1000H开始读取之前写入的5个数据存入数组rx_buf1中，即调用了函数R_FDL_Read(0x0000, rx_buf1[0],5)。最后完成擦除写入读取操作，关闭库操作，即调用R_FDL_Close()函数。

代码完成后我们仿真验证一下，通过Memory1看到，写入数据成功，如下图

而通过查看watch1中rx_buf[1]数组的值可以看到，读取数据成功，如下图

总结

以上就是基于瑞萨提供的FDL库来实现RL78G13 Data Flash的读写操作，真的是十分的简单快捷，用户无需过多的查看手册都可以十分迅速地掌握。通过瑞萨的开发环境CS+(for CC)，可以实现瑞萨RL78系列MCU的外设的选择、配置、代码生成，大大减少了开发人员对于MCU底层的配置，从而缩短了整个项目的开发周期，这也是瑞萨RL78系列MCU深受广大嵌入式开发人员的好评之一。

来源：瑞萨MCU小百科
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审核编辑 黄宇