什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？

什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压各约是多少？

一、什么是二极管的死区电压？

二极管是电子器件中常见的一种元件。它是由一对半导体材料制成的器件，即P型半导体与N型半导体。在正向偏置（即向着P型半导体连接正电压，向着N型半导体连接负电压）时，二极管中电子可以通过PN结的能垒，流经器件，从而使二极管具有导电的作用。

然而，在反向偏置时（即向着P型半导体连接负电压，向着N型半导体连接正电压），由于PN结之间存在能隙阻挡，电子不能流过，因此二极管具有非导电的作用。但实际上，在反向偏置时，即使连接的电压为零，也会存在少量的漏电流。这是因为PN结两侧的半导体材料并不是纯净无杂质的，存在少量的杂质离子和缺陷，这些杂质离子和缺陷会形成导电的路径，使少量的电流通过PN结。

当实际使用中反向偏置的电压超过一定值时，漏电流突然变得非常大，把二极管可视为电阻时其电阻值突然变小，这个电压值就是二极管的死区电压。

二、为什么会出现死区电压？

当电压极性与二极管的正常使用相反时，电荷难以穿过PN结中的电势垒，因此会导致PN结中残留的载流子积累。在理想情况下，载流子的积累是不存在的，即当电压为零时，流过二极管的电流也应该为零。但由于PN结本身不能完全隔绝电流，所以即使电压为零，也会有少量的电流通过，这被称为漏电流。当电压进一步增加时，残留的载荷子积累会不断增加，电流也会不断增大，直到电流突然放大为几乎无限大，这时二极管表现为一个非常低的电阻，即出现了死区电压。

三、硅管和锗管的死区电压各约是多少？

针对“硅管和锗管的死区电压各约是多少？”这个问题，我们需要详细地了解这两种器件的特性。硅管的电压比锗管偏高，它的特性类似于二极管，只不过它具有反向电压承受能力非常高的特点。绝大多数硅管的反向电压达到200伏特以上，有一些型号甚至超过1000伏特。在硅管的响应特性曲线中，我们可以看到硅管的死区电压是可以用剪切线表示的。

相比之下，锗管的死区电压要比硅管小得多。锗管的反向电压通常不超过55伏特，因此它们需要注意使用范围。锗管在响应特性曲线方面并不具有硅管的剪切线特征。

综上所述，二极管的死区电压是由反向偏置电压引起的，当偏置电压超过一定电压值时，漏电流急剧增大，二极管导通。硅管和锗管的死区电压各有不同，硅管的反向电压承受能力高，因此它的死区电压也比较高，而锗管则需要注意反向电压方面的问题。