优恩半导体100M- 以太网供电ESD及雷击浪涌防护II
以太网供电 PoE 技术将网络数据与 48V 直流电结合在一起给远端用电设备供电，如安防摄像头、智慧门禁管理系统等等，网线因其需要较远距离传输且走线环境多为户外及一些电磁环境较复杂的地方，极易引入各种干扰，导致后端芯片的损坏、系统重启、死机等等现象，此类情况会给后续产品的稳定性及可靠性带来一定隐患，此方案网络部分采用优恩公司耐高温系列 TVS 管产品，保证在高温 85℃运行条件下数据传输不丢失，供电部分使用优恩公司专用于 PoE 供电而研发的小封装高通流 TVS 管做保护，具有封装体积小、防护钳位电压低，满足 IEC 61000-4-2 Level 4 静电放电及 IEC 61000-4-5 Level 4（通信组合波） 雷击浪涌防护需求，让后端的电路得到有效防护的同时，最小程度的占有 PCB 宝贵且有限的空间。
产品图示：
ESD03V32D-LC
UN1812-90CSMD应用示例：
符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4；Surge IEC 61000-4-5 Level 4
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
ESD
+关注
关注
46文章
1821浏览量
171220 -
以太网
+关注
关注
40文章
5084浏览量
166321 -
端口
+关注
关注
4文章
822浏览量
31629
发布评论请先 登录
相关推荐
GPS天线口浪涌静电防护：半导体放电管+TVS/ESD二极管+肖特基二极管
从东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图可知，东沃电子技术从两个方面进行浪涌静电防护：一个是对内馈直流电源进行浪涌防护，另一个是对射频信号进行
晶闸管型防护器件—半导体放电管
半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
发表于 01-04 16:52
SMDJ58CA 双向TVS管 保护以太网POE供电免受浪涌静电威胁
。由于工业以太网工作环境非常严酷苛刻，对于以太网 POE供电端口电磁兼容的浪涌静电防护必不可少。通常浪拓电子接触到的客户对于
发表于 01-03 15:19
强电电路中是如何对雷击浪涌进行防护的？
强电电路中是如何对雷击浪涌进行防护的？ 雷击浪涌是指由于大气中强电场的突变，产生了短暂的高电压电流，对于强电电路来说，这种电流通常会对设备造
以太网供电浪涌保护电路图及TVS管选型技巧
由于工业以太网工作环境非常严酷苛刻，对于以太网 POE供电端口电磁兼容的浪涌静电防护必不可少。通常东沃电子接触到的客户对于
串联电阻R与半导体ESD电路布线与防浪涌关系
1.串联电阻R与半导体ESD电露布线与防浪涌关系串联电阻R与半导体ESD电路布线中，哪个应放置靠近被保护IC?在信号线防
1000M以太网POE供电浪涌静电保护电路图
。由于工业以太网工作环境非常严酷苛刻，对于以太网 POE供电端口电磁兼容的浪涌静电防护必不可少。通常东沃电子接触到的客户对于
100M以太网口雷击静电保护用GDT放电管和TVS管选型
为此，以太网口浪涌静电防护成为了业内必然的选择。关于以太网口浪涌静电保护方案，不同电路保护器件公司设计的方案略有差异。电路保护器件厂家东沃电
电源丨DC5V接口二级雷击浪涌防护方案
上期介绍了电源DC5V接口一级浪涌防护方案，本期介绍电源DC5V接口二级雷击浪涌防护方案。电源DC5V接口的一级保护的重点在于预防和控制，二
Nexperia | 扩展用于汽车以太网的ESD保护解决方案产品组合
Nexperia（安世半导体）宣布扩展其备受赞誉的汽车以太网 ESD 保护器件产品组合。3 款全新 ESD 保护器件符合 AEC-Q101 标准以及 IEEE
POE以太网供电浪涌保护方案
内的数据、视频传输、流量控制、以及通过总线实现供电。但由于工业以太网工作环境的严苛，对于POE以太网供电端口的浪涌及静电
工商网监
评论