近日,中国电科9所突破从器件设计到材料制备等多项关键技术,研制出高性能的MEMS磁通门传感器。
MEMS磁通门传感器作为一种高精度弱磁场传感器,能够感应到外界微弱的直流或低频磁场,被广泛应用于定位跟踪、航空航天、地磁探测和电流检测等领域,且长期以来依赖进口。
为填补该领域技术空白,9所技术团队瞄准微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制备工艺、测试优化方案等方面,持续创新突破,成功研制高性能MEMS磁通门传感器。
未来,技术团队将进一步优化其结构、制作工艺、磁心材料、电路匹配,使MEMS磁通门传感器不仅能满足各种场合对小尺寸、高精度、低功耗、高鲁棒性等的要求,还可以满足高集成度、高匹配性、低成本的要求,为各领域的磁测量提供新的解决方案。
审核编辑 黄宇
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