基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述

光伏与储能是能源电力系统实现能量转换、存储利用的有效途径，在推动碳达峰碳中和方面发挥显著作用，碳化硅凭借导通电阻低开关损耗小的优势，可有效助力光伏与储能系统，节约能源，推荐使用国产基本半导体芯片第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光储一体机，将会比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。

碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和更高的热导率。这些特性意味着碳化硅器件可以用在高电压、高开关频率、高功率密度的场合，基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120H器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%;反向传输电容Crss降低，能提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

且B2M065120H具有更低的比导通电阻，通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升，且具有非常低的开关损耗。基本半导体自2017年开始布局车用碳化硅器件研发和生产，目前已掌握碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术，申请两百余项发明专利，产品性能达到国际先进水平。

B2M065120H性能参数：

• RDS (on)：65mΩ;

• Voltage：1200V;

• 最高工作结温：175°C;

• 封装：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7;

审核编辑：汤梓红