3D NAND刻蚀工艺的挑战及特点
编者按
中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
考虑到这些内容也是目前业界关注的实用技术，征得教师和学生的同意，本公众号将陆续展示一些学生的调研结果。这些报告还很初步，甚至有少许谬误之处，请业界专家批评指正。
以下为报告PPT：
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5321文章
10750浏览量
353497 -
NAND
+关注
关注
16文章
1546浏览量
134824 -
3D
+关注
关注
9文章
2757浏览量
106465 -
光刻技术
+关注
关注
1文章
131浏览量
15644 -
刻蚀工艺
+关注
关注
1文章
33浏览量
8330
原文标题：【Study】3D NAND刻蚀工艺的挑战及特点
文章出处：【微信号：光刻人的世界，微信公众号：光刻人的世界】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储探讨3D NAND技术
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
发表于 09-20 17:57
芯片的3D化历程
正在从二维走向三维世界——芯片设计、芯片封装等环节都在向3D结构靠拢。晶体管架构发生了改变当先进工艺从28nm向22nm发展的过程中，晶体管的结构发生了变化——传统的平面型晶体管技术（包括体硅技术
发表于 03-19 14:04
3D NAND及PCIe NVMe SSD为什么能晋升巿场主流？
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
发表于 04-02 07:17
浩辰3D的「3D打印」你会用吗？3D打印教程
3D打印技术是综合了三维数字技术、控制技术、信息技术众多技术的创新研发技术，具有设计样式多元化、试制成本低、制作材料丰富等特点。通过数字化设计工具+3D打印技术相结的模式，可以帮助企业高效实现创新
发表于 05-27 19:05
用SD NAND转TF卡可以解决3D打印机常读写错误，坏死的问题
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
发表于 07-12 10:48
工商网监
评论