华大电子MCU CIU32L061x8存储器（Flash）二

5.3.5User flash区擦除操作

User flash区支持以下擦除方式：

l页擦除（512字节）

l块擦除（16KB）

l批量擦除（128KB）

Flash存储器在执行擦除操作时，不能同时进行读取操作，需要等待存储器完成 擦除操作后，读取操作才能正常进行，擦除完成后的Flash数据为全1。

5.3.5.1User flash区页擦除步骤

对User flash区进行页擦除操作（512字节），可遵循以下步骤：

1） 检查Flash状态寄存器（FLASH_SR）中的BSY标志，以确认当前没有正在执行的Flash操作；

2） 检查FLASH_SR寄存器，确认错误标志均已清除；

3） 解锁Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0；（详见：Flash控 制寄存器解锁）

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为01，进入页擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[7:0]位域，选择待擦除区域的页号；

6） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，启动Flash擦除，同时BSY标志将自动置1；

7） 查询并等待BSY标志清0，表明擦除操作已完成，此时ERASE位也将自 动清 0；

8） 如果要对多个页执行擦除操作，可重复执行步骤5到7；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为00，退出擦除模式；

10） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢复FLASH_CR寄存器的写保护锁定状态。

5.3.5.2User flash区块擦除步骤

对User flash区进行块擦除操作（16KB），可遵循以下步骤：

1） 检查Flash状态寄存器（FLASH_SR）中的BSY标志，以确认当前没有正在执行的Flash操作；

2） 检查FLASH_SR寄存器，确认错误标志均已清除；

3） 解锁Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0；（详见：Flash控制寄存器解锁）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为10，进入块擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[2:0]位域，选择待擦除区域的块号；

6） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，启动Flash擦除，同时BSY标志将自动置1；7） 查询并等待BSY标志清0，表明擦除操作已完成，此时ERASE位也将自动清0；

8） 如果要对多个块执行擦除，可重复执行步骤5到7；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为00，退出擦除模式；

10） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢复FLASH_CR寄存器的写保护锁定状态。

5.3.5.3User flash区批量擦除步骤

批量擦除用于擦除整个User flash区域（128KB），可遵循以下步骤：

1） 检查Flash状态寄存器（FLASH_SR）中的BSY标志，以确认当前没有正在执行的Flash操作；

2） 检查FLASH_SR寄存器，确认错误标志均已清除；

3） 解锁Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0（详见：Flash控制寄存器解锁）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为11，进入批量擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，启动Flash擦除，同时BSY标志将自动置1；

6） 查询并等待BSY标志清0，表明擦除操作已完成，此时ERASE位也将自动清 0；

7） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域为00，退出擦除模式；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢复FLASH_CR寄存器的写保护锁定状态。

5.3.5.4User flash区擦除错误

在对User flash区执行擦除操作的过程中，可能会出现以下错误标志：

lFlash操作序列错误标志PESERR：

-在ERASE位被置1的同时，如果ER_MODE[1:0]位域为00，则不会

启动擦除操作，错误标志PESERR将置1；

-在ERASE位被置1的同时，如果待擦除的区域（PNB[7:0]）超出了

Flash的有效空间，则不会启动擦除操作，错误标志PESERR将置1；

-当有错误标志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除时，配置ERASE位置1，则不会启动擦除操作，错误标志PESERR将置1；

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2个以上控制位同时置1，

则不会启动对应的操作，错误标志PESERR将置1。

l写保护错误标志WRPERR：

-如果要擦除的区域受到安全保护机制的影响，包含有受保护的区域，

则不会启动擦除操作，FLASH_SR寄存器中的WRPERR标志将置1。

5.3.6User flash区编程操作

对Flash存储器执行编程操作，每次能写入的数据长度固定为 32bits（字），不支持其他长度的数据写入。

FLASH存储器在执行编程操作时，不能同时进行读取操作，需要等待存储器完成编程操作后，读取操作才能正常进行。

与Flash擦除操作类似，编程操作也会受到安全保护机制的影响：

5.3.6.1User flash区编程操作步骤

对User flash区进行编程操作，可遵循以下步骤：

1） 检查Flash状态寄存器（FLASH_SR）中的BSY标志，以确认当前没有正在执行的Flash操作；

2） 检查FLASH_SR寄存器，确认错误标志均已清除；

3） 解锁Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0（详见：Flash控制寄存器解锁）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE为1，进入Flash编程模式；

5） 向Flash目标地址写入32bits数据，写入后BSY标志将自动置1；

6） 查询并等待BSY标志清0，表明编程操作已完成；7） 如果要对多个地址进行编程，可重复步骤5和6；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位为0，退出Flash编程模式；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢复FLASH_CR寄存器的写保护锁定状态。

5.3.6.2User flash区编程错误

在对User flash区进行编程操作的过程中，可能会出现以下错误标志：

l编程错误标志PROGERR：

-当Flash地址内的数据不是 0xFFFF FFFF时，表明该地址已经执行过

编程操作，向该地址写入数据，则写入的数据会被忽略，不会启动编

程操作，错误标志PROGERR将置1；

-当PG_MODE位为0时，向Flash地址写入数据，则写入的数据会被

忽略，不会启动编程操作，错误标志PROGERR将置1；

-当有错误标志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除时，向Flash地址写入数据，则写入的数据会被忽略，不会启动编程操作，错误标志 PROGERR将置1。

l编程位宽错误标志SIZERR：

-如果向Flash地址写入字节或半字，则写入的数据会被忽略，不会启

动编程操作，错误标志SIZERR将置1。

l编程地址未对齐错误标志PGAERR：

-如果编程操作的目标地址没有按字对齐（地址2位不为b00），则

写入的数据会被忽略，不会启动编程操作，错误标志PGAERR将置1。

l写保护错误标志WRPERR：

-如果要编程的区域受到安全保护机制的影响，处于受保护的状态，向

该区域中的地址写入数据，则写入的数据会被忽略，不会启动编程操

作，错误标志WRPERR将置1。

5.4Option bytes区操作说明

5.4.1选项字节组成

选项字节存放于Flash存储器的Option bytes区，用于保存与芯片硬件功能相关的配置项，用户可根据应用对选项字节进行配置，以实现特定的硬件功能。

为了校验选项字节的正确性，在Option bytes区的每个字（32bits）被拆分成两

部分，低16bits存放选项字节，高16bits存放选项字节的反码。

复位后，硬件会自动将Option bytes区中的内容，加载到寄存器里，这些寄存器被称为选项字节加载寄存器，选项字节中各控制位的作用，可查看以下寄存器的详细描述：

lFLASH_OPTR1：选项字节寄存器 1

lFLASH_OPTR2：选项字节寄存器 2

lFLASH_PCROP1AS：代码读出保护区 1A起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1AE：代码读出保护区 1A结束地址寄存器

lFLASH_PCROP1BS：代码读出保护区 1B起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1BE：代码读出保护区 1B结束地址寄存器

lFLASH_WRP1AS：写保护区A起始地址寄存器

lFLASH_WRP1AE：写保护区A结束地址寄存器

lFLASH_WRP1BS：写保护区B起始地址寄存器

lFLASH_WRP1BE：写保护区B结束地址寄存器

lFLASH_SECR：用户安全配置寄存器

5.4.2选项字节更新

Option bytes区与User flash区不同，用户不能直接对 Option bytes区执行擦除或编程操作，而是要通过对应的选项字节加载寄存器进行更新。

对选项字节的更新遵循以下步骤：

1） 检查Flash状态寄存器（FLASH_SR）中的BSY标志位，以确认当前没有正在执行的Flash操作；

2） 检查FLASH_SR寄存器，确认错误标志均已清除；

3） 解锁Flash选项字节的写保护，使Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的

OPTLOCK位清0（详见：Flash选项字节解锁）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE为1，进入Flash编程模式；

5） 配置选项字节加载寄存器；

6） 将FLASH_CR寄存器中的OPTSTRT位置1，启动选项字节的更新，同时BSY标志将自动置1；

7） 查询并等待BSY标志清0，表明选项字节已更新完成，此时OPTSTRT位也将被自动清 0；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位为0，退出Flash编程模式；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位置1，恢复选项字节的写保护锁定状态；

10） 此时FLASH_CR寄存器处于解锁状态，可根据需要配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，将其恢复成写保护锁定状态。

在启动选项字节更新后，将对Option bytes区进行擦除，并自动生成选项字节的反码，随后会将选项字节及其反码更新到Option bytes区。

在完成对选项字节的更新后，直接读取Option bytes区，可获取更新后的选项字节值。但是更新后的选项字节此时并未生效，如果读取选项字节加载寄存器，获得的仍将是最近一次已加载生效的选项字节值。在对选项字节进行更新的过程中，可能会出现以下错误标志：

lFlash操作序列错误标志PESERR：

-在OPTSTRT位被置1的同时，如果PG_MODE位为0，则不会启动

选项字节更新，错误标志PESERR将置1；

-当有错误标志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除时，配置OPTSTRT位置1，则不会启动选项字节更新，错误

标志PESERR将置1；

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2个以上控制位同时置1，

则不会启动对应的操作，错误标志PESERR将置1。

5.4.3选项字节加载

要使Option bytes区中选项字节生效，可通过以下方式对选项字节进行加载：

l以下复位将触发加载：

-POR/PDR复位

-退出Standby模式复位

l配置FLASH_CR寄存器中OBL_LAUNCH位为1启动加载，加载执行时BSY标志将自动置1，加载完成后该标志将自动清0并触发系统复位。

如果ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2个以上控制位同时置1，则不会启动对应的操作，错误标志PESERR将置1。

在选项字节加载过程中，将自动对选项字节及其反码进行校验，如果出现错误，将维持复位状态不再执行任何操作，直到发生POR/PDR复位。

当选项字节加载生效后，Option bytes区中的选项字节将被自动复制到对应的加载寄存器。读取选项字节加载寄存器，获得的总是加载生效后的选项字节值。

5.5Flash安全保护机制

Flash存储器支持以下安全保护机制：

lFlash读出保护（RDP）：通过配置不同RDP保护等级，对存储器的操作权限进行限制。

lFlash代码读出保护（PCROP）：禁止对受保护的区域执行读取、编程或擦

除操作，仅允许取指操作。

lFlash写入保护（WRP）：禁止对受保护的区域执行编程或擦除操作，但允

许取指和读取操作。

lFlash用户安全区域：在复位后，用户安全区域处于未保护状态，可执行

取指、读取、编程和擦除操作。当安全区域使能后，该区域不可见，禁止

对该区域执行任何操作，直到重新复位。

5.5.1Flash读出保护

5.5.1.1RDP保护权限

Flash读出保护（RDP），共有三种保护等级：

RDP0：

l从User flash/SRAM启动

-User flash区：允许取指、读取、编程、擦除

-System memory区：仅允许取指

-Option bytes区：允许读取、更新（通过选项字节加载寄存器）

-OTP区：允许读取、编程（每个字仅可编程一次）

-备份寄存器：允许读取、写入

l从Bootloader启动

-User flash区：允许取指、读取、编程、擦除

-System memory区：允许取指、读取

-Option bytes区：允许读取、更新（通过选项字节加载寄存器）

-OTP区：禁止执行任何操作

-备份寄存器：禁止执行任何操作

l调试接口

-User flash区：允许取指、读取、编程、擦除

-System memory区：仅允许取指

-Option bytes区：允许读取、更新（通过选项字节加载寄存器）

-OTP区：允许读取、编程（每个字仅可编程一次）

-备份寄存器：允许读取、写入

注意：从Bootloader启动时，禁用调试接口。

RDP1：

l从User flash启动

-User flash区：允许取指、读取、编程、擦除

-System memory区：仅允许取指

-Option bytes区：允许读取、更新（通过选项字节加载寄存器）

-OTP区：允许读取、编程（每个字仅可编程一次）

-备份寄存器：允许读取、写入

l从Bootloader启动

-User flash区：仅允许取指

-System memory区：允许读取、取指

-Option bytes区：允许读取、更新（通过选项字节加载寄存器）

-OTP区：禁止执行任何操作

-备份寄存器：禁止执行任何操作

l禁止从SRAM启动

l禁用调试接口

RDP2：

l从User flash启动

-User flash区：允许取指、读取、编程、擦除

-System memory区：仅允许取指

-Option bytes区：仅允许读取-

OTP区：允许读取、编程（每个字仅可编程一次）

-备份寄存器：允许读取、写入

l禁止从Bootloader启动

l禁止从SRAM启动

l禁用调试接口

对于Flash存储器，当Flash控制器检测到无权限的非法操作时，FLASH_SR寄 存器中的 ACERR错误标志将立刻置1，非法操作会被立刻终止，并产生总线访 问错误，触发 HardFault中断。

对Option bytes区的更新，必须通过相应的选项字节加载寄存器来完成。当保护等级为 RDP2时，不允许更新该区域，此时如果FLASH_CR寄存器中的

OPTSTRT位被置1，则FLASH_SR寄存器中的ACERR错误标志将置1，wo对Option bytes区的操作将被终止，并产生总线访问错误，触发HardFault中断。

沈阳芯硕科技有限公司是华大电子专业代理商，有技术问题可咨询芯虎论坛.

审核编辑黄宇