电子电路仿真基础：什么是热动态模型（Thermal Dynamic Model）

上一篇文章中，简单介绍了SPICE模型中的热模型（Thermal Model），它是用来进行热仿真的SPICE模型之一。本文将简单介绍另一个热仿真用的SPICE模型，即热动态模型（Thermal Dynamic Model）。

什么是热动态模型

热动态模型是内置了上一篇文章中介绍的热模型，并且其特性通过自发热而改变的SPICE模型。它是通过部件的损耗和模型内置的Thermal Model来计算Tj，并将该Tj反映在部件的电气特性中。

下面是热动态模型的源代码示例。这里的部件是SiC肖特基势垒二极管（SCS220），但思路和上图一致，是在SiC-SBD的子电路模型中添加了热模型。

下面介绍热动态模型的使用示例。请将电路看做是本文最前面给出的电路示意图。Q1是配有散热器的SiC MOSFET，条件为Ta＝25℃（给Ta引脚施加25VDC）。获得的仿真结果是，Tj通过MOSFET的开关而上升（图表上段），Q1的特性随Tj的变化而变化（中段、下段）。

审核编辑：汤梓红