0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SN3257-Q1是一款汽车级互补金属氧化物半导体开关

jf_vuyXrDIR 来源:兆亿微波 2023-01-04 17:11 次阅读

SN3257-Q1 是一款汽车级互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关,支持高速信号,具有低传播延迟。SN3257-Q1 提供具有 4 个通道的 2:1 (SPDT) 开关配置,非常适合 SPI 和 I2S 等各通道协议。此器件可在源极(SxA、SxB)和漏极 (Dx) 引脚上支持双向模拟数字信号,并且能够传递高于电源电压(最高 VDD x 2)的信号,最大输入和输出电压为 5.5V。

SN3257-Q1 具有一个低电平有效 EN 引脚,用于同时启用和禁用所有通道。当 EN 引脚为低电平时,会根据 SEL 引脚的状态选择两个开关路径之一。

SN3257-Q1 的信号路径上高达 3.6V 的关断保护功能可在移除电源电压 (VDD = 0V) 时提供隔离。如果没有该保护功能,开关可通过内部 ESD 二极管为电源轨进行反向供电,从而对系统造成潜在损坏。

失效防护逻辑电路允许在施加电源引脚上的电压之前,先施加逻辑控制引脚上的电压,从而保护器件免受潜在的损害。两个逻辑控制输入都具有兼容 1.8V 逻辑的阈值,可确保 TTL 和 CMOS 逻辑兼容性。逻辑引脚上带有集成下拉电阻器,无需外部组件,可减小系统尺寸、降低系统成本。

审核编辑:何安

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关
    +关注

    关注

    19

    文章

    2997

    浏览量

    92723
  • 半导体
    +关注

    关注

    328

    文章

    24548

    浏览量

    202251
  • 汽车
    +关注

    关注

    12

    文章

    2997

    浏览量

    36099

原文标题:SN3257QPWRQ1具有 1.8V 逻辑电平和断电保护的汽车类 5V、2:1 (SPDT)、4 通道开关

文章出处:【微信号:兆亿微波,微信公众号:兆亿微波】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-11 11:22 0次下载
    带有集成<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应晶体管TPS65270数据表

    金属氧化物压敏电阻的冲击破坏机理&amp;高能压敏电阻分析

    氧化锌为主的金属氧化物阀片在定的电压和电流作用下的破坏可分为热破坏和冲击破坏两类。 热破坏是指氧化锌电阻在交流电压持续作用时发生的破坏,
    发表于 03-29 07:32

    金属氧化物压敏电阻 (MOV) 概述:工作和应用

    1. 引言 通常可以在任何电源电路的交流输入侧发现的蓝色或橙色圆形部件是金属氧化物压敏电阻或MOV。可以将金属氧化物压敏电阻视为另
    发表于 03-29 07:19

    N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表

    电子发烧友网站提供《N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-28 15:43 0次下载
    N通道NexFET™ 功率<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应晶体管(MOSFET) 数据表

    通用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX1208和TMUX1209数据表

    电子发烧友网站提供《通用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX1208和TMUX1209数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 17:27 0次下载
    通用<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) 多路复用器TMUX1208和TMUX1209数据表

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 13:49 0次下载
    具有闩锁效应抑制特性的<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>(CMOS)<b class='flag-5'>开关</b>TMUX722x数据表

    现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表

    电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 11:27 0次下载
    现代<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表

    现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器TMUX7308F和TMUX7309F数据表

    电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器TMUX7308F和TMUX7309F数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 11:14 0次下载
    现代<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) 模拟多路复用器TMUX7308F和TMUX7309F数据表

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 11:12 0次下载
    具有闩锁效应抑制特性的<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) <b class='flag-5'>开关</b>TMUX7219M数据表

    互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表

    电子发烧友网站提供《互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 10:57 0次下载
    <b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表

    具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表

    电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-20 10:56 0次下载
    具有闩锁效应抑制特性的<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b> (CMOS) <b class='flag-5'>开关</b>TMUX7236数据表

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    的头像 发表于 12-13 14:22 339次阅读
    【科普小贴士】<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应晶体管(MOSFET)

    GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

    教授李清庭做了“GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管”的主题报告。
    的头像 发表于 12-09 14:49 1002次阅读
    GaN基单片电子器件的集成<b class='flag-5'>互补</b><b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>D模和E模高电子迁移率晶体管

    武汉芯源半导体车规MCU,CW32A030C8T7通过AEC-Q100测试考核

    近日,武汉芯源半导体正式发布首基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规MCU,这是武汉芯源半导体通过AEC-
    发表于 11-30 15:47

    带热脱扣的金属氧化物压敏电阻的优点

    带热脱扣的金属氧化物压敏电阻的优点
    的头像 发表于 08-22 14:56 537次阅读
    带热脱扣的<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b>压敏电阻的优点