双极型晶体三极管原理

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三极管原理

双极型晶体三极管：由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区（b)，外侧两层分别称发射区(e)和集电区(c)。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体三极管的放大效应。

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三极管的三种工作状态

①截止工作状态：是三极管基极电压太小，不足以打开集电极和发射极之间的电流；

②饱和工作状态：是三极管基极电压太大，基极电流不管是否有变化，集电极和发射极之间的电流始终达到最大；

③放大工作状态：是三极管基极电压大小在上述两种状态之间，集电极和发射极之间的电流随着基极电流的变化而变化。

截止状态近似开关关断，饱和状态近似于开关打开，因此三极管工作在这两种状态时，多应用于数字电路中的电子开关；放大状态多应用于模拟电路中的电流放大。

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三极管的应用说明

MDD推出多款小功率三极管，均采用SOT-23封装，多种电压范围和放大倍数可选，广泛用于工控、智能家居、无线遥控、小家电等行业，多用于无线信号放大或信号开关控制，也可用于小功率LED驱动、蜂鸣器驱动等电路中。常用NPN三极管型号如MMBT3904、S8050，PNP三极管型号如MMBT3906、S8550等常规产品。

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规格参数

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公司介绍

MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。

MDD致力满足客户高品质需求，目前产品已广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域，并具有UL、RoHS和REACH等多项认证，可为客户提供可靠、优质和定制化的半导体解决方案商。

自成立以来，MDD 先后在国内外斩获百余项的专利与荣誉，业务覆盖全球40多个国家，同时享有国内外各电子领域企业的良好口碑。

审核编辑 ：李倩