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SiC功率器件在 PCIM Europe 全面展示

你又知道了 来源:你又知道了 作者:你又知道了 2022-08-16 15:42 次阅读

PCIM Europe 是电力电子及其应用的国际展览和会议,在本周的德国展会上举办了 515 家参展商、300 场教程和研讨会以及 107 场论坛演讲。超过 12,000 名参观者走进展厅,观看展出的最新电力电子产品,包括宽带隙——氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)——性能优于硅的器件。

虽然在采用方面存在一些障碍,但芯片制造商正在向前发展,以新的封装样式提供这些设备并扩展产品线以更好地满足现有应用。他们还在提高产量以满足预期的需求。

以下是今年会议上展示的一些产品的综述:

为 SiC 产品线添加新的封装选项以满足现有产品需求是展会上的一个趋势。英飞凌科技股份公司 通过发布 TO247-2 封装扩展了其 CoolSiC 肖特基 1,200-V G5 二极管产品组合 ,该封装可替代硅二极管,以提高汽车、太阳能和工业应用的效率。扩展的 8.7 毫米爬电距离和电气间隙距离在高污染环境中提供了额外的安全性。

例如,额定电流为 10A 的 CoolSiC 肖特基 1,200V G5 二极管可提供更高的效率,可直接替代 30A 硅二极管。采用 TO247-2 引脚封装的 CoolSiC 肖特基二极管现在可以订购五种电流等级:10 A、15 A、20 A、30 A 和 40 A。

当与硅 IGBT 或超结 MOSFET 结合使用时,CoolSiC 肖特基 1,200-V G5 二极管与使用硅二极管相比,效率提高了 1%。英飞凌以在三相转换系统中使用的 Vienna 整流级或 PFC 升压级为例,其中 PFC 和 DC/DC 级的输出功率因此可以提高 40% 或更多。

英飞凌还计划发布采用分立封装的 CoolSiC MOSFET 产品组合。其中包括表面贴装器件 (SMD) 产品组合和 650V CoolSiC MOSFET 产品系列。目标应用包括电池充电基础设施、储能解决方案、光伏逆变器、不间断电源 (UPS)、电机驱动器以及服务器和电信开关模式电源 (SMPS)。

UnitedSiC 还在其 SiC 器件系列中增加了新的封装选项。该公司通过七种新的 TO220-3L 和 D2PAK-3L 器件/封装组合扩展了其 UJ3C(通用)和 UF3C(硬开关)650-V SiC FET 系列。新器件面向喜欢三引线、TO220 或 D2PAK 封装选项并希望提高功率因数校正 (PFC) 电路、LLC 谐振转换器和移相全桥转换器的功率性能的设计人员。公司。

新的 UnitedSiC 器件的目标市场分别包括数据中心服务器、5G 基站和电动汽车的电源、电信整流器和车载充电器。

这些器件可用作现有 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的“直接替代品”。UnitedSiC 表示,设计人员无需改变栅极驱动电压即可提高系统性能。

这两个系列的 SiC FET 均基于 UnitedSiC 独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,以生产具有标准栅极驱动特性的常关 SiC FET 器件。当使用“插入式替代”FET 时,现有设计中的传导和开关损耗降低、热性能增强以及集成栅极 ESD 保护的性能提高。

其他新的宽带隙器件也在展会上进行了演示。例如,GaN Systems 展示了其新型 650-V、150-A GaN 功率晶体管,号称是市场上业界电流最高的 650-V GaN 功率晶体管。GS-065-150 器件的开关损耗比同类 IGBT 低 100 倍,声称开关损耗降低了 99%。

展出的其他产品包括兼容 EZDrive 电路的 GS-065 低电流晶体管系列。GaN Systems 表示,更小的设计与 EZDrive 电路的结合消除了对分立驱动器的需求,从而降低了材料成本并提高了性能。

安森美半导体的一款有趣的混合 SiC 和硅基器件在展会上亮相。ON Semi展示了其新的基于 SiC 的混合 IGBT ,它结合了硅和基于 SiC 的技术,以及相关的隔离式大电流 IGBT 栅极驱动器。

得益于最新的场截止 IGBT 和 SiC 肖特基二极管技术,AFGHL50T65SQDC 混合 IGBT 在多种电源应用中提供低导通和开关损耗。ON Semi 表示,该器件由一个带有 SiC 肖特基势垒二极管的硅基 IGBT 组成,它解决了硅基解决方案的较低性能和 SiC 基解决方案的较高成本之间的权衡。

符合 AEC-Q101 标准的器件可以在高达 175°C 的结温下工作,使其适用于要求苛刻的电源应用,包括车载电动汽车 (EV) 和混合动力 EV 充电器等汽车。

安森美还在 PCIM 上发布了一系列隔离式大电流 IGBT 驱动器。安森美表示,这些器件可以提供 7.8A 的驱动电流和 7.1A 的吸收电流,这是一些竞争器件能力的三倍以上,并且它们在米勒高原运行时具有更大的电流能力。NCD(V)57000 系列的目标电源应用包括太阳能逆变器、电机驱动、UPS 和汽车应用,例如动力总成和 PTC 加热器。

具有内部电流安全隔离的大电流单通道 IGBT 驱动器旨在提供高效率和高可靠性。功能包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确欠压锁定 (UVLO)、带软关断的 DESAT 保护、负栅极电压引脚以及用于系统设计灵活性的独立高低驱动器输出。

碳化硅产能提升 包括 Cree、英飞凌和 Microchip 在内的多家芯片制造商宣布扩大产能和量产规模,为未来五年需求的增长做准备。

Cree Inc. 宣布将投资高达 10 亿美元用于扩大 SiC 产能。该公司计划在其位于北卡罗来纳州达勒姆的美国总部园区建造一个新的最先进的自动化 200 毫米 SiC 制造设施和一个材料大型工厂。该项目将于2024年完成。

此次扩建预计将使 SiC 晶圆制造能力增加 30 倍,将 SiC 材料产量增加 30 倍,以满足到 2024 年的预期市场增长。预计 2023 年 SiC 市场将达到 15 亿美元,复合年增长率根据Yole Développement (Yole)的数据,2017 年至 2023 年间的增长率为 31% 。

Cree 的计划包括通过扩建现有结构、253,000 平方英尺、200 毫米功率和射频晶片制造设施,为其 Wolfspeed 碳化硅业务增加产能。此外,新的 North Fab 将完全符合汽车标准,并将提供比现在多近 18 倍的制造表面积,最初将生产 150 毫米晶圆。

英飞凌和 Microchip 都在加大其多款 SiC 器件的批量生产。英飞凌宣布量产其 1.200-V CoolSiC MOSFET 器件系列。它们的额定值为 30 mΩ 至 350 mΩ,采用 TO247-3 和 TO247-4 封装。大多数封装选项的工程样品将于 2019 年第四季度提供,但采用 TO247 封装的 1,200-V CoolSiC MOSFET 除外,该产品现已上市。

建立其 SiC 功率产品组合的 Microchip Technology Inc. 通过其 Microsemi 子公司宣布推出一系列 SiC 功率器件。新产品具有宽带隙技术的固有优势,包括耐用性和性能优势,包括 700-V SiC MOSFET 以及 700-V 和 1,200-V SiC 肖特基势垒二极管 (SBD)。

Microchip 的 SiC 功率产品组合共有超过 35 种分立产品,包括各种电压、额定电流和封装尺寸的 SiC 芯片、分立器件和电源模块

Microchip 表示,其 SiC MOSFET 和 SBD 在更高频率下提供更高效的开关,并通过了长期可靠性所需水平的耐用性测试。Microchip 表示,在非钳位感应开关 (UIS) 耐用性测试中,SiC SBD 的性能比其他 SiC 二极管高出约 20%,该测试可测量器件在雪崩条件下承受退化或过早失效的能力,这种情况发生在电压尖峰超过器件的击穿电压时。

即使经过 100,000 次重复 UIS (RUIS) 测试,SiC MOSFET 也表现出出色的栅极氧化物屏蔽和通道完整性,参数寿命几乎没有下降。

不仅仅是宽带隙除了 GaN 和 SiC 器件之外,还有更多的组件被展出。其中一些产品包括吹捧性能改进的无芯电流传感器

Allegro MicroSystems展示了其无芯电流传感器 IC 和 QuietMotion 无刷直流 (BLDC电机控制解决方案系列中的第一款器件。AMT49406 号称是市场上首款无需客户代码的磁场定向控制 (FOC) BLDC 电机控制器。完全集成了 FOC 算法,以实现最佳效率和噪声性能。其他几项产品技术,包括风扇和泵电机驱动器、电源监控 IC 和磁性旋转编码器,也在展出。

所有这些产品都旨在节省空间、提高效率和安全性。但回到电流传感器。ACS37650 无芯电流传感器 IC 无需在电动汽车牵引逆变器等大电流传感应用中使用集中器内核,从而节省了空间。其他特性包括具有极低噪声和高分辨率的闭环感应以及在扩展的汽车温度范围内的操作。

Allegro 的汽车级 1MHz 电流传感器 IC 也在展会上进行了演示,以节省空间的封装提供更快和更高的电流感应范围。Allegro 表示,这些电流传感器 IC 比变压器更可靠,有助于减少物料清单。应用包括汽车车载充电器、工业电源和智能运动应用。

英飞凌还发布了一个新的电流传感器系列,由精确稳定的无芯霍尔传感器组成,允许设计人员对电流范围、过流阈值和输出模式等参数进行编程。XENSIV TL1497 是该系列的第一个成员,在 PCIM Europe 2019 上亮相,测量范围从 ±25 A 到 ±120 A,适用于高达 50 kW 的电力驱动器和光伏逆变器等工业应用。

TLI4971 采用温度和应力补偿来确保灵敏度误差在室温下低至 2%。英飞凌表示,通过单点系统内校准,灵敏度误差可以降低到 2% 以下。

电流传感器具有两个用于快速过流信号的输出引脚,使设计人员能够对过流信号的阈值水平进行编程,从而将它们用于系统要求,而无需进一步的外部元件,因此信号可用于预警和系统关闭。电流传感器还会在电源电压过压或欠压的情况下提供信号。样品将于 8 月提供。

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    的头像 硬件攻城狮 发表于 09-07 14:43 127次 阅读

    有关二极管选取知识

    普通二极管的特性都是单一导通,是一个用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理做而成的二极管。他的反....
    的头像 硬件攻城狮 发表于 09-07 14:23 136次 阅读

    有关肖特基二极管知识详解

    肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件....
    的头像 深圳弗瑞鑫电子有限公司 发表于 09-07 11:38 560次 阅读

    基于TLC6A598的可靠相移驱动器PCB

    描述 用于航空电子应用:基于 TLC6A598 的可靠相移驱动器 PCB 相移: 航空电子设备是指设计用于航空的电子系统。它是...
    发表于 09-01 07:04 1013次 阅读

    用于点阵LED显示器的控制器板

    描述 LED矩阵显示驱动器 这是用于点阵 LED 显示器的控制器板。该板的优点在于它可以驱动单色和多色 RGB 显示器。它使...
    发表于 08-26 06:20 458次 阅读

    L99MOD53XPTR STMicroelectronics L99MOD53XP 多输出驱动器

    oelectronics L99MOD53XP多输出驱动器是一款微控制器驱动型多功能执行器驱动器,用于汽车应用。使用5个半桥和3个高侧驱动器可以驱动多达3个直流电机和3个接地电阻性负载。集成SPI可控制所有工作模式(正向、反向、制动和高阻抗)。此外,所有诊断信息均可通过SPI读取获得。 特性 符合AEC-Q100标准 三个半桥,用于0.75A负载 (RDSon = 1600mΩ) 两个可配置的高侧驱动器,用于高达1.5A负载 (RDSon = 500mΩ) 或0.35A负载 (RDSon = 1800mΩ) 一个全桥,用于6A负载 (RDSon = 150mΩ) 一个高侧驱动器,用于6A负载 (RDSon = 100mΩ) 借助可编程软启动功能驱动负载,具有较高浪涌电流(即电流> 6A、> 1.5A) 待机模式下非常低的电流消耗(IS < 6μA(典型值);Tj ≤85°C) 对所有输出进行短路保护 针对高侧OUT1、OUT4、OUT5和OUT8的电流监控器输出 对所有输出进行过温保护 针对所有输出的开...
    发表于 10-29 15:06 308次 阅读
    L99MOD53XPTR STMicroelectronics L99MOD53XP 多输出驱动器

    LED1202JR STMicroelectronics LED1202 12通道LED驱动器

    oelectronics LED1202 12通道LED驱动器可确保5V输出能力,各通道能够提供高达20mA的电流。8位模拟和12位数字调光控制通过输出电流分别调节每个通道。通过较长的开启和关闭时间改善了系统的低噪声发生性能。另外,相移功能有助于降低浪涌电流。内部寄存器可以存储8种模式,用于自动排序且无需MCU干预。 LED1202驱动器支持的模式序列还可针对持续时间和重复次数进行配置。该器件还为多器件应用中的共享定时同步提供了一个公共时钟域。LED1202的其他特性还包括热关断和LED开路检测。 LED1202 I²C...
    发表于 10-29 12:28 241次 阅读

    L99MOD50XPTR STMicroelectronics L99MOD50XP多输出驱动器

    oelectronics L99MOD50XP多输出驱动器是一款微控制器驱动型多功能执行器驱动器,用于汽车应用。使用6个半桥和5个高侧驱动器可以驱动多达5个直流电机和5个接地电阻性负载。集成SPI可控制所有工作模式(正向、反向、制动和高阻抗)。此外,所有诊断信息均可通过SPI读取获得。 特性 符合AEC-Q100标准 两个半桥,用于6A负载 (RDSon = 150mΩ) 两个半桥,用于3A负载 (RDSon = 300mΩ) 两个半桥,用于0.75A负载 (RDSon = 1600mΩ) 一个高侧驱动器,用于6A负载 (RDSon = 90mΩ) 两个可配置的高侧驱动器,用于高达1.5A负载 (RDSon = 500mΩ) 或0.4A负载 (RDSon = 1800mΩ) 两个高侧驱动器,用于0.5A负载 (RDSon = 1600mΩ) 借助可编程软启动功能驱动负载,用较高浪涌电流作为电流限制值 待机模式下电流消耗极低(IS < 6μA(典型值);Tj ≤85°C;ICC < 5μA(典型值);Tj ≤85°C) ...
    发表于 10-29 12:06 199次 阅读
    L99MOD50XPTR STMicroelectronics L99MOD50XP多输出驱动器

    MAX25610AAUE+ Maxim Integrated MAX25610x降压和降压升压LED驱动器

    Integrated MAX25610x同步降压和降压-升压LED驱动器可提供恒定输出电流,以驱动大功率发光二极管。该驱动器适用于需要高压输入的汽车和工业照明应用。这些驱动器集成了两个60mΩ功率MOSFET,可实现同步操作,从而最大限度减少了外部元件数量。该器件的灵活配置支持降压、反相降压-升压和升压转换。这些LED驱动器采用电流模式控制,可提供快速瞬态响应,并轻松实现环路稳定。Maxim MAX25610x驱动器还可以用作直流-直流转换器,使用FB输入作为输出分压器的反馈。 特性 符合汽车类AEC-Q100标准 高度集成,最大限度减少了物料需求 输入电压范围:5V至36V 工作频率:400kHz 开关频率选项:2.2MHz 内部电流检测选项 集成高侧和低侧开关MOSFET 带模拟控制电压的脉冲宽度调制 (PVM) 调光 降压LED驱动器,用于1至2个LED 反相降压-升压LED驱动器,用于3至5个LED 工作温度范围:-40°C至+125°C 短路、过压和热保...
    发表于 10-28 15:05 243次 阅读
    MAX25610AAUE+ Maxim Integrated MAX25610x降压和降压升压LED驱动器

    led灯驱动器输出电压

    半导体 L99LD01 高效恒流 LED 驱动器是一款完整的恒流直流-直流转换器 LED 驱动器,适用于汽车应用。它采用 BCD5S 70V 技术制造,并以 LQFP32 封装形式组装。L99LD01 用于升压、降压-升压和反激式转换器拓扑。一个内部随机抖动振荡器在低频模式下工作,扩大了开关频率的射频频谱,从而降低 EMC。 该装置包括内部低跌落电压调节器,可用于提供微控制器和复位引脚,用于在启动时和每次被调节的输出电压降到既定电压阈值以下时重置微控制器。 特性 合格汽车 [医]恒流操作 电流LED可由外部传感电阻器设置,并可通过SPI调节 转换器开关频率可调节的外部电阻(RSF) 内部扩频抖动振荡器的EMC降低 低频率PWM调光操作。 当前最大输入限制 最大开关占空比限制器 由外部电阻(R9)调节的斜率补偿) 电池过电压关闭保护(EXT。 需要R3,R4电阻) 链式OV检测(R5,R6外) 用于监测和控制LED温度(需要外部NTC电阻)、L...
    发表于 10-28 14:58 232次 阅读
    led灯驱动器输出电压

    MAX25612BATP/VY+ MaximIntegrated MAX25612高压LED控制器

    MAX25612高压LED控制器是一款单通道高亮度LED (HB LED) 驱动器,适用于汽车前灯应用。这些应用包括远光灯、近光灯、日间行车灯 (DRL)、转向指示灯、雾灯和其他LED灯。该器件的输入电压范围为5V至48V,可以驱动一个LED灯串,最大输出电压为65V。MAX25612是完全同步型器件,适合需要同步整流的升压和降压-升压应用,可提供大于90%的效率。 MAX25612可检测LED灯串高侧的输出电流。需要进行高侧电流检测,以防止输出端到接地或电池输入端发生短路。该器件也是用于驱动LED的最灵活方案,支持升压、高侧降压或降压-升压模式配置。PWM输入提供高达5000:1的LED调光比,ICTRL输入在MAX25612中提供额外的模拟调光功能。MAX25612还包括一个FLT标志,用于指示灯串开路、灯串短路和热关断。MAX25612还支持内置扩频调制,以提高电磁兼容性能。 特性 集成度高,可最大限度地减少BOM、降低成本 +5.0V至+48V的宽输入电压范围和+65V的最大升压输出 集成pMOS调光FET驱动器 用于模拟调光的ICT...
    发表于 10-28 14:57 285次 阅读
    MAX25612BATP/VY+ MaximIntegrated MAX25612高压LED控制器

    ALED1642GWXTTR STMicroelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器

    oelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器是单片低压低电流 16 位移位寄存器,用于 LED 面板显示屏。ALED1642GW 可确保 20V 的输出驱动能力,用户可以以串联方式连接若干个 LED。在输出阶段,16 个稳压电流源提供从 3mA 到 40mA 的恒定电流以驱动 LED。电流通过外部电阻器进行设定,并可以由一个 7 位电流增益寄存器在两个子范围间进行调整。各通道亮度可通过 12/16 位灰阶控制分别进行调整。可编程的开关时间(有四个不同值可用)改善了系统低噪声发生性能。 特性 16个恒定电流输出通道 输出电流3mA至40mA 电流可编程通过外部电阻 两个范围内的7位全局电流增益调整 12/16位PWM灰度亮度控制 可编程输出开启/关闭时间 错误检测模式(打开和短路-LED) 可编程短路LED检测阈值 自动节电/自动唤醒 可选择的SDO同步在CLK下降边缘 拉杜尔输出延迟(可选) 3V到5.5V供电电压 热停机和超温报警 高达30MH...
    发表于 10-28 09:26 358次 阅读
    ALED1642GWXTTR STMicroelectronics ALED1642GW LED 显示驱动器

    MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二极管控制器

    Integrated MAX16141理想二极管控制器具有各种系统故障保护特性,例如反向电流保护、过流保护、输入过压/欠压保护以及过热保护。MAX16141二极管控制器具有3.5V至36V的工作电压范围和5μA(典型值)关断电流。这些MAX16141控制器采用集成电荷泵,可驱动源极连接上方9V背对背外部nFET的栅极。这样可最大限度降低源极和负载之间的功率损耗。MAX16141控制器采用低功耗关断,可减少电池耗电量。这些MAX16141二极管控制器通过开路双向电流阻断和开路双向电压将故障电源与负载隔离。 MAX16141控制器具有可为负载提供有限功率的低功耗模式,以及有助于在关断模式下降低功耗的内部开关 这些MAX16141二极管控制器还具有故障输出,可在故障条件下发出信号。典型应用包括汽车电源系统、网络/电信电源系统、RAID系统、服务器和以太网供电 (PoE) 系统。 特性 宽电源电压范围: 工作电压范围:3.5V至36V 保护电压范围:-36V至60V 消除了分立二极管功耗 低功耗关断模式可降低电池耗电量: ...
    发表于 10-21 11:10 353次 阅读

    LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

    oelectronics ALED8102S LED阵列驱动器是一款单片、低电压、led驱动器,具有8个低侧通道。ALED8102S设计用于提供高达20V输出驱动能力,支持连接多个串联LED。八个稳压电流源提供5mA至100mA恒定电流来驱动LED。通过一个外部电阻器设置电流。 LED8102S具有热管理功能,可强制关断以保护器件(通常在+170°C时关断,15°C滞后重启)。热保护开关仅关闭输出通道。 工作电源电压范围为3.0V至5.5V。输出控制由四个开关输入提供,实现开/关切换操作。在所有有源输出LED上,可通过应用到输出使能引脚 (OE) 上的全局PWM信号调整亮度。输出可并联,或者不使用时不连接。 LED8102S LED驱动器采用14引脚高热效率薄型微缩小外形封装 (HTTSSOP)。 特性 8个恒定电流输出通道,由4个开关输入控制 输出电流:5mA至100mA 电流可通过外部电阻器编程 电源电压:3.0V至5.5V 20V电流发生器额定电压 热关断 工作结温范围:-40°C至+150°C ...
    发表于 10-21 10:45 287次 阅读
    LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

    STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

    oelectronics STSPIN32F025x 250V三相控制器是高度集成的解决方案,用于驱动三相应用。由于集成度高,因此有助于设计人员减少PCB占位和总体物料清单。STSPIN32F025x内置STM32F031x6x7 MCU(采用Arm® 32位Cortex®-M0 CPU)和250V三路半桥栅极驱动器。半桥栅极驱动器可驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该器件集成了具有高级smartSD功能的比较器,可确保快速有效地防止过载和过流。下部和上部驱动部分还集成了高压自举二极管,以及防交叉传导、死区时间和UVLO保护。这些特性可防止电源开关在低效率或危险条件下运行。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真。集成的MCU可以执行FOC、6步无传感器以及其他高级驱动算法(包括速度控制回路)。 特性 三相栅极驱动器 高达250V高压轨 驱动器电流能力 200mA/350mA拉/灌电流 (STSPIN32F0251) 1.0A/0.85A拉/灌电流 (STSPIN32F0252) dV/dt瞬态抑制:±50V/ns ...
    发表于 10-21 10:41 314次 阅读
    STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

    STGAP2HSMTR STMicroelectronics STGAP2HS4A 单通道栅极驱动器

    oelectronics STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器在栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2HS适合用于中等功率和大功率应用,例如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器,具有4A能力和轨到轨输出。 STM STGAP2HS单通道栅极驱动器有两种不同配置,一种具有独立的输出引脚,另一种具有单输出引脚和米勒钳位功能。借助独立输出引脚的配置,可通过专用栅极电阻分别优化导通和关断。单输出引脚和米勒钳位功能配置可防止半桥拓扑中快速换向时的栅极尖峰。两种配置均为外部元件提供较高的灵活性,降低物料清单成本。 STGAP2HS集成UVLO和热关断保护功能,可简化高可靠性系统的设计。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施HW互锁保护,可在控制器发生故障时避免交叉传导。 STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器采用宽体SO-8W封装。 特性 高达1200V高压轨 驱动器电流能力:4A拉电流/灌电流(25°C时) dV/dt瞬变抗扰性:±100V/ns,全温度范围内 整体输入-输出传播延迟:75ns ...
    发表于 10-21 10:30 242次 阅读

    STEVAL-LLL004V1 STMicroelectronics STEVALLLL004V1 LED驱动器

    oelectronics STEVAL-LLL004V1 LED驱动器是一款数控恒流LED驱动器。PFC级和两个直流-直流转换器设计用于在转换模式下工作以优化效率。该LED驱动器可提供75W的输出功率。 通过模拟和数字方法,该驱动器可以将LED调暗至最高亮度水平的0.5%。通过任何一种调光技术,该操作在整个调光范围内均无闪烁。该电路板具有高效率,功率因数几乎等于1,并且在宽输入电压和负载条件下具有低THD百分比。这得益于高性能ST电源产品,以及在32位STM32F0微控制器上运行的高级算法。 特性 宽输入电压范围:85VAC至265VAC 转换模式PFC 两个基于不同拓扑、在转换模式下工作的恒流输出: 降压拓扑 反向降压拓扑 输出电流:500mA ±2.5% 输出端连接的LED数量:16至24个白光LED(每个3.3V) 满负载时,PFC > 0.97,THD < 20%(85VAC至265VAC输入电压范围) 最大负载时峰值效率≅ 90% ...
    发表于 10-21 10:06 214次 阅读

    ULN2801A ULN2801A八个达林顿阵列

    达林顿晶体管具有共同发射极 输出电流500 mA的电流 输出电压至50V 积分抑制二极管 对于所有流行的逻辑系列版本 输出可以并联 输入钉扎相对输出到简化电路板布局 在ULN2801A,ULN2802A,ULN2803A和ULN2804A各自包含具有共同的发射器和用于电感性负载积分抑制二极管8个达林顿晶体管。每个达林顿设有一个峰值负载电流额定值600毫安(500 mA连续)的,并能承受至少50 V在关断状态。输出可以并联,以更高的电流能力。...
    发表于 05-21 05:05 643次 阅读

    RH-OSC04 RH-OSC04抗辐射 晶体振荡器驱动器和分频器

    发表于 05-20 17:05 270次 阅读

    EVL6562A-LED EVL6562A-LED恒流逆降压LED驱动器使用L6562A

    发表于 05-20 12:05 330次 阅读

    NCP302150 集成驱动器和MOSFET 45 A.

    150将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302150集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达45A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 使用3级PWM进行零交叉检测的选项 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V-Core DC-DC Con转换器 小型电压调节器模块 高电流DC-DC负载点转换器 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 21:02 910次 阅读

    NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

    055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 21:02 534次 阅读

    NCV8872 汽车级非同步升压控制器

    2是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 工厂可编程 灵活性 4.8 V至45 V操作 使用反极性保护二极管通过起动和负载转储进行操作 -40 C至150 C操作 汽车级 双功能启用/同步引脚 紧凑SOIC8包中的额外功能 应用 终端产品 仪表盘 引擎集群 启动/停止应用程序 导航 LED背光 汽车应用 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 21:02 364次 阅读
    NCV8872 汽车级非同步升压控制器

    NCP6992 AIRFUEL-MR无线电源发送器ASIC

    2是一款无线电源ASIC,可提供符合AirFuel MR标准的非接触式6.78 MHz电力传输单元(PTU)所需的电源,测量和支持功能。 NCP6992与蓝牙信令协议(BLE)相结合,通过管理功率传输(包括效率和故障条件管理),有助于调整和优化发送器线圈的功率。 特性 输入电压范围4.5V至22V 提供小型7x7mm²可湿性侧翼电镀QFN-56封装,间距0.4mm 直接从墙上适配器或USB端口供电 可通过3.4 MHzI²C接口进行广泛编程 50 W功率升压控制器,具有可在9V至55.2V(200mV步进)下编程的转换器,具有OVP和自动控制输入选项 可配置的睡眠模式和使用直接输入控制的快速唤醒循环 In集成式降压转换器5V& 500mA 2通用GPIO可用于逻辑I / O,ADC输入或时钟输出 系统LDO可编程为1.2V至3.6V,100 mV步进,带动态电压调节(DVS) USB BC 1.2检测的前端 具有OCP的四相可选6.78MHz PA驱动器 用于天线切换的PWM控制继电器驱动器 用于PA电源电压,电流和温度测量的10位ADC 一个阻抗控制检测器 具有ADC读数的差分...
    发表于 07-29 18:02 388次 阅读

    NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

    74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 18:02 1275次 阅读