GaN材料MOSFET管测试对高带宽高压差分探头要求

GaN材料主要应用于偏低压应用例如800V以下的应用，像高功率密度DC/DC电源的40V-200V增强性高电子迁移率异质节晶体管（HEMT）和600V HEMT混合串联开关。当然现在也有800V以上的一些应用也是用GaN材料的。在这些应用中需要选用高压差分探头进行测试。

SiC材料测试中高温测试需求增多，需要宽温度范围的探头。

SiC材料主要偏向高压的应用。因其具有承受高温（300℃左右温度是没有问题的）的特点主要应用场景是在汽车和光伏逆变器等领域。这些器件的应用会对整个电源系统有很大的改进。

综上所诉，针对宽禁带材料功率器件的测试，我们需要的是包括示波器、示波器探头以及测试软件的一套完整的测试系统。其中，对示波器探头的具体要求如下：

01电气性能符合要求-带宽、输入电压范围(单端还是差分)、低噪声、高输入阻抗以及高共模抑制比；

02探头前端满足规范要求；

03探头易用性；

04探头有没有过载保护；

05温度范围满足规范要求，例如汽车测试需要在85℃左右；

06高共模抑制比，防止共模信号对输出有影响；

对于电源工程师来说，除了器件本身的测试之外，更关注器件在电路板中的性能，例如器件在工作过程中Vds电压以及损耗。器件损耗的原因主要有两个方面：（1）耐压击穿；（2）损耗。在测试过程中需要注意的几个问题是：

器件损耗测试注意的问题

除了以上提到的问题，浮地测量时地的选取以及不能和损耗&SOA同时测试也是需要我们注意的问题。

以上就是测试GaN材料MOSFET管对高带宽高压差分探头要求的相关介绍，如您使用中还有其他问题，欢迎登录西安普科电子科技。

审核编辑：汤梓红