作为可控硅器件的领导厂商,瑞能半导体一直致力于开发出性能更卓越,更加可靠的产品。为此瑞能半导体成功推出了具有过压钳位保护功能的ACT/ACTT系列可控硅。这些产品主要用于各种家电产品中,像洗衣机,洗碗机,智能马桶等。这些电器在日常使用中,因为市电中的噪声影响,尤其是在电器开关的过程中,常常会发生瞬态的过压现象,因此需要可控硅具有电压钳位功能和更高的 dVD/dt。
前言
可控硅作为功率半导体器件,具有体积小,结构简单,可靠性好,功能强的特点,被广泛应用于各种电子和电气设备中。双向可控硅,作为唯一的可以用来控制交流负载的双向导通的半导体开关器件,在白色家电,小家电等消费类产品中,被普遍的用作交流开关来控制马达,阀门和加热器等负载。可控硅在阻断状态时的误触发是在实际应用中让广大用户苦恼的问题, 超出最大断态电压变化率(dVD/dt)和超出断态重复电压峰值(VDRM)是实际应用中造成可控硅误触发的主要原因。日常使用中,电网中的感性负载、容性负载的切换和电机的启停都会在市电中产生各种各样的噪声和瞬态尖峰,造成可控硅在过压下误触发导通,进而导致器件因电流应力过大而损坏。瑞能半导体,作为可控硅器件的领导厂商,一直致力于开发出性能更卓越,更可靠的产品。基于其先进的平面钝化工艺,推出了带过压钳位保护功能的双向可控硅产品—ACT系列和ACTT系列:
AC Thyristors (ACT)
AC Thyristor Triacs (ACTT)

图1:瑞能ACT/ACTT 可控硅典型应用
过压钳位保护可控硅简介
双向可控硅,又称作TRIAC,,是英文Triode AC semiconductor switch的缩写,其意思是三端交流半导体开关,目前主要用于对交流电源的控制。TRIAC具有两个稳定的工作状态:高阻抗、低漏流的关断状态和低阻抗、高电流的导通状态。TRIAC 可以承受正向和反向的阻断电压,并在施加门极触发电流后导通电流。TRIAC 典型的电流-电压特性曲线如图2 所示。

图2:TRIAC 典型的电流- 电压特性曲线
瑞能ACT/ACTT 过压钳位保护可控硅在三端双向可控硅的基础上增加了瞬态过电压钳位功能,同时提高了断态电压突变处理能力(dVD/dt)。ACT/ACTT系列产品能够在交流回路中存在过压噪声的情况下,将电压钳位于其能够承受的范围内,噪声的能量将会转化为热量耗散掉,使其不会因为过压而导致误触发。ACT/ACTT 可控硅作为性能卓越的交流开关,在150℃结温下dVD/dt 典型值达到了1000V/us以上,提升了整个系统的抗噪声能力。瑞能半导体拥有丰富的ACT/ACTT系列产品,涵盖0.2A~16A的电流和600V~800V的电压范围,大部分的产品达到Tj(max)=150℃的高结温要求,多种封装形式能够给客户提供多种选择。在白色家电,洗碗机,智能马桶,风扇,水泵等高电感和高安全要求应用中,因其出色的性能和极高的可靠性被众多终端用户广泛使用。

表1:瑞能半导体过压钳位保护可控硅系列概览
ACT/ACTT可控硅在洗衣机中的应用
TRIAC作为半控型开关器件主要特点为可以通过门极驱动信号控制器件导通却不能控制其关闭,当门极施加触发电流后,TRIAC会发生闭锁(Latch up)进而导通,移除门极触发电流后 仍然处于导通状态,直到负载电流小于其维持电流后自动关闭, TRIAC作为交流开关器件广泛应用于交流负载的控制。在以洗衣机为代表的白色家电中,TRIAC经常被用于交流电机、电磁门阀、排水泵、进水阀等负载的控制。ACT/ACTT系列可控硅在洗衣机中的应用如图3所示。

图3:ACT/ACTT可控硅在洗衣机中的应用拓扑图
洗衣机交流电机特性(AC Motor)
交流异步电机因其制作工艺成熟、可靠性高、价格便宜在洗衣机中被广泛使用,其主要由绕线组成,具有高感抗的特性,工作过程中经常会遇到反动电动势带来的问题。反电动势是指由反抗电流发生改变的趋势而产生电动势。反电动势一般出现在电磁线圈中,如继电器线圈、电磁阀、接触器线圈、电动机、电感等。通常情况下,只要存在电能与磁能转化的电气设备中,在断电的瞬间,均会有反电动势,反电动势有许多危害,控制不好,会损坏电气元件。
电机由于具有高感抗其绕组线圈中的电流不能突变,当回路异常断开时由于电流不能突变此时会产生一个反电动势当其高于可控硅的耐压时会导致可控硅因过压而误开启,可控硅过压导通往往会伴随着较大的电流应力此时器件可能会因过电流而发生失效。图4所示为ACTT产品吸收尖峰电压过程。

图4:ACTT产品吸收电压尖峰
洗衣机电磁阀特性 (Solenoid Valve)
洗衣机进水阀主要由线圈、导磁铁框与衔铁组成。其工作原理是,电磁铁线圈通电后,形成磁场,吸引阀芯向上移,水道打开水流导通。电磁线圈失电后,在弹簧和重力作用下,阀芯下沉压紧膜片堵住水道,水流截断。
洗衣机进水阀是高感抗和高阻抗负载,通常电感量能达到mH级别,阻抗从几百欧姆到几千欧姆不等。当电路突然断开时电磁阀线圈由于电流不能突变会产生一个瞬态电压尖峰,瞬变电压具有高的电压上升率和峰值 ,此时可控硅容易因为过dVD/dt或超出耐压范围而误开启,可控硅在高压下开启会产生较大的电流应力。实验室测试数据表明极端情况下即使电磁阀的电阻达到数千欧姆可控硅过压开启时所产生的dIT/dt能达到100A/us。

图5:洗衣机进水电磁阀
ACT/ACTT可控硅的优势
过电压钳位功能
ACT 和ACTT 能够在交流回路中存在过压噪声的情况下,将电压钳位于其能够承受的范围以内,噪声的能量将会转化为热量耗散掉,使其不会因为过压而导致误触发。如6展示了可控硅吸收超出耐压范围的电压尖峰的过程。通过I-V图示仪我们可以清晰的看到,随着电压接近并超出可控硅的耐压值电流快速的增加,当电流增加到0.29mA时三象限 Hi-ComTM TRIAC直接闩锁导通而ACT产品随着电流的增加一直将电压钳位在额定耐压值,直到电流超过2.01mA才闩锁导通。

图6:ACT产品吸收超出耐压范围的电压
优异的dVD/dt性能
dVD/dt是可控硅在阻断状态下阳极(A)和阴极(K)之间的临界电压变化率。在实际应用中,如果dVD/dt超过该临界值可控硅会触发导通。当可控硅在阻断状态下,施加在AK之间的快速变化的电压会对可控硅内部的寄生结电容充电。和门级电流类似,当该充电电流超过其临界值后,可控硅会触发导通。在产品手册中一般会给出dVD/dt的最小值。图-7所示为dVD/dt的标准测试电路和测试波形。在电源两端加载待测器件67% 的VDRM电压(VDM),当开关SW闭合时电源通过R1对电容C充电,调节R1阻值大小可以调节可控硅两端的电压变化率。电感RL起限流保护作用,避免可控硅导通后因过电流而损坏。T为电压波形10%~63.2%之间的时间,dVD/dt计算公式如下:
dVD/dt = 53.2% * VDM / T

图7:dVD/dt 测试电路及波形
可控硅在断态时的误触发是在实际应用中让广大用户苦恼的问题,在电机、电磁阀等感性负载的应用中超出最大断态电压变化率(dVD/dt)是可控硅误触发最主要的原因之一。ACT/ACTT系列可控硅采用最新平面工艺相对传统可控硅具有更高的dVD/dt能力。图8所示为同一IGT不同类型产品的dVD/dt性能对比,瑞能ACT产品在Tj=125℃的条件下dVD/dt达到3200V/us是三象限 Hi-ComTM TRIAC的4倍,这对于提升系统的稳定性和可靠性具有明显优势。

图8:ACT 产品与3Q Hi-Com TRIAC dVD/dt 性能对比
可靠的平面钝化工艺

图9:TRIAC的剖面示意图
瑞能半导体目前市面上所有可控硅产品都使用平面工艺(如图-9),平面工艺相对台面工艺具有以下优点:
更优异的量产工艺:从紧控制,低的参数波动。
切割过程中不会破坏电压钝化层,极低的缺陷率保证了稳定的压阻特性。
Die顶部钝化,键合打线方法消除了锡料污染导致短路故障的风险。
低漏电性能以及高稳定性,使高Tj(max)+高耐压+低IGT首次成为可能。
小结
瑞能半导体过压钳位保护可控硅具有卓越的电压瞬变处理能力(dVD/dt)及过电压钳位保护功能,提升了系统的可靠性,在大部分的应用中可以不再需要RC吸收电路。ACT/ACTT系列可控硅以其优越的性价比在洗衣机、洗碗机等家用电器中被广泛使用。
审核编辑 :李倩
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不重复的浪涌峰值导通电流:270A
I、II、III象限
触发栅极电流:35mA
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关断电压上升比:最大Tj下为1500V/µs
QIII上的触发栅极电流:35mA
稳健的动态关断换向 (dl/dt)c
符合ECOPACK®2的元件
通过UL94-V0可燃性认证的成型树脂
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LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 •
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AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
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TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
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DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关 Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
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这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 •
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LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器 Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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