基于ADRF5519的主要特性、测试建立图和功能介绍-电子发烧友网

ADI 公司的AD RF5519是双路2.3-2.8GHz 20W接收器前端模块，集成了RF前端多片，设计用于工作频率2.3GHz-2.8GHz的时分复接（TDD）应用。ADRF5519可配置成两路，有级联两级低噪声放大器（LNA）和功率硅单刀掷（SPDT）开关。高增益模式，级联两级LNA和开关提供2.6GHz时的低噪声（NF） 0.1dB和高阶增益35dB，输出三截断点（OIP3）32dB（典型值）。

低增益模式，两级LNA的一个级模式，两级LNA的一个级别，提供低电流36mA时14dB增益。在降低模式，LNA关断，器件的时间为12mA。时间，输入RF连接到端面（（ANTCHA 或ANT-CHB，分别连接到TERM-CHA 或TERM-CHB）。提供成本-0.5dB，处理LTE 平均功率4dBm。器件有偏上压和匹配，单电源工作。RoHS 片3， 6 mm × 6 mm40 个性LFCSP 封装。主要用在无线基础设备，TD D 大量输入和多输出以及有源天线系统，基于TDD 通信系统。本文介绍了ADRF5519 主要特性和功能，电指标，以及评估板ADRF5519-EVALZ主要特性、测试建立图、电路图、材料清单和PCB装配图。

ADRF5519 是一款双通道、集成式射频前端多芯片模块，专为工作频率为 2.3 GHz 至 2.8 GHz 的时分双工（TDD）应用而设计。这

ADRF5519 配置为双通道，具有级联两级低噪声放大器（LNA）和高功率硅单刀双掷（SPDT）开关。

在高增益模式下，级联的两级 LNA 和开关在 2.6 GHz 下提供 1.0 dB 的低噪声系数（NF）和 35 dB 的高增益，输出三阶截取点（OIP3）为 32 dBm（典型值）。

在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路状态，在 36 mA 的较低电流下提供 14 dB 的增益。在掉电模式下，LNA 关闭，器件消耗 12 mA 电流。

在发射操作中，RF 输入连接到终端引脚（ANT-CHA 或 ANT-CHB 分别连接到 TERM-CHA 或 TERM-CHB）。该开关提供 0.5 dB 的低插入损耗，并处理 43 dBm 的长期演进（LTE）平均功率（9 dB 峰均比（PAR）），以实现整个生命周期的运行。

该器件采用符合 RoHS 标准的紧凑型 6 mm × 6 mm、40 引脚 LFCSP 封装。

ADRF5519主要特性：

► 集成双通道射频前端

► 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 开关

► 片上偏置和匹配

► 单电源操作

► TCASE = 105C 时的高功率处理能力

► LTE 平均功率（9 dB PAR）全寿命：43 dBm

► 增益

► 高增益模式：2.6 GHz 时典型值为 35 dB

► 低增益模式：2.6 GHz 下典型值为 14 dB

► 低噪声系数

► 高增益模式：2.6 GHz 下典型值为 1.0 dB

► 低增益模式：2.6 GHz 下典型值为 1.0 dB

► 高隔离

► RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB 典型值

► TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB 典型值

► 低插入损耗：2.6 GHz 时典型值为 0.5 dB

► 高 OIP3：32 dBm 典型值

► 掉电模式和低增益模式

► 低电源电流

► 高增益模式：5 V 时典型值为 110 mA

► 低增益模式：5 V 时典型值为 36 mA

► 掉电模式：5 V 时典型值为 12 mA

► 正逻辑控制

► 6 mm × 6 mm、40 引脚 LFCSP 封装

► 引脚与 ADRF5545A 和 ADRF554910 W 版本兼容

ADRF5519应用：

► 无线基础设施

► TDD大规模多输入多输出和有源天线系统

► 基于 TDD 的通信系统

基于ADRF5519的主要特性、测试建立图和功能介绍

图1.ADRF5519功能智能

ADRF5519电指标：

VDD1-CHA， VDD1-CHB， VDD2-CHA， VDD2-CHB 和 SWVDD-CHAB = 5 V， SWCTRL-CHAB = 0 V 或 SWVDD-CHAB， BP-CHA = VDD1-CHA 或 0 V， BP-CHB = VDD1 -CHB 或 0 V， PD-CHAB = 0 V 或 VDD1-CHA，外壳温度（TCASE） = 25C 和 50 Ω 系统，除非有标志的。

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