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多维科技基于隧道磁电阻技术推出大量程TMR线性磁场传感器芯片

nva3_多维科 来源:多维科技 作者:多维科技 2021-05-19 11:00 次阅读
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江苏多维科技有限公司基于隧道磁电阻技术(Tunnel Magnetic Resistance,简称TMR)新推出大量程TMR线性磁场传感器TMR2108/2109/2110/2111系列芯片产品,封装形式是SOT23-5。

TMR2108/2109/2110/2111系列芯片产品,以其大动态范围的工作磁场,填补了大工作磁场的TMR线性传感器芯片的空白,与TMR2102/2103/2104/2105等产品一起,形成了完整的TMR21XX系列线性磁传感器芯片家族,可满足不同工作磁场的应用需求;同时,800~4,000欧姆的TMR等效电阻值,使TMR2108/2109/2110/2111系列产品具备500kHz以上的高频检测能力。

TMR2108典型输出曲线(TA=25 °C,VCC=1.0 V)

0f567c2c-b4e1-11eb-bf61-12bb97331649.png

产品一览表:

0f6f6fd4-b4e1-11eb-bf61-12bb97331649.png

TMR21XX家族系列线性磁场传感器芯片产品,在保持隧道磁电阻技术(TMR)高分辨率、优良的温度特性的基础上,以其各自不同的设计特点,满足各种应用需求。

产品特性/应用对照表:

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编辑:jq

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原文标题:多维科技推出大量程TMR线性磁场传感器芯片

文章出处:【微信号:多维科技,微信公众号:多维科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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