竞争十分激烈，但中国半导体崛起是必然

12月13日，在2019中国（珠海）集成电路产业高峰论坛上，中国半导体行业协会副理事长于燮康进行了《中国半导体崛起势在必行》的演讲。

于燮康表示，中国半导体产业发展历程大致经历了1956-1978年的初创建设阶段，1979-1999年的调整发展阶段，2000-2008年的较快发展阶段，2009-2020年的全面发展阶段，2020-2035年的创新腾飞阶段。

在演讲中，于燮康谈到了我国集成电路发展中两大重要工程“六五工程”与“九0八工程”。

于燮康认为“六五工程”的成功有6点启示，国家集成电路“九0八工程”则引发了一系列思考。

“六五工程”的成功启示包括，举国重视，以我为主，自主建设，是工程成功的前提；集中优势人才打硬仗模式工程成功的保障；良好的产业政策；引进一项目，受益全行业，促进国产化；工程成为人才孵化平台、成为我国集成电路行业重要的人才基础；一家引进，成果共享，促进集成电路产业发展。

国家集成电路“九0八工程”也带来了几点思考， 即“竣工即落伍”、“投资及财税体制问题”与“研发生产脱节”。

具体来看，竣工即落伍意味着项目十年磨一剑，竣工投产落后国际五个世代，投产及进入巨额亏损，导致错失发展机遇。

投资及财税体制问题则是当时优惠政策取消、增值税并轨、拨改贷投资体制、新项目投资自筹比要求、投资强度弱于产业要求、拨款节奏与考核机制问题。

而研发生产脱节则意味着科研生产严重脱节，使工程失去了产品支撑。

于燮康表示，芯片制造是所有制造业里最为复杂，最有科技含量的制造。当谈及后续集成电路的发展，于燮康认为未来有三个发展方向：延续原有的CMOS技术的发展概念，透过SiP（3D）封装新技术，脱离原有以硅为基础的CMOS元件制程。

此外，于燮康还介绍了我国集成电路产业的发展现状。

目前，设计方面，我国集成电路处于中低端水平，但细分领域有技术亮点，与国际先进水平的差距主要体现在CPU、存储器、FPGA、AD/DA等高端芯片，但涉及的门类基本齐全。

制造方面，我国集成电路制造水平落后国际水平两代以上，2018年7nm量产，目前5nm、3nm都在开发中。

在封测领域，我国已进入发展成熟期，市场规模增速和技术均有所放缓，在发展趋势上，出现了2D封装向3D封装发展，传统封装向先进封装发展的特点。

在材料与设备领域，我国与国际先进水平则有很大差距，材料与设备领域是集成电路产业最薄弱环节，但我国集成电路材料企业不断取得突破，靶材等已进入先进制程。

于燮康表示，未来全球市场与国内市场的竞争将更为激烈，但在复杂的形式下，中国半导体产业崛起势在必行。