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28nm产能利用率短期提升程度有限 IoT与OLED或助力28nm制程技术转移

半导体动态 来源:拓墣产业研究院 作者:徐韶莆 2019-11-14 15:55 次阅读
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2019年晶圆代工产业的焦点无疑是先进制程发展,尤其在7nm产品的采用率上优于市场预期,16/14nm需求受惠于高效能运算与消费性电子产品需求产能利用率表现不俗,也让提供先进制程服务的相关厂商,在2019下半年确实能得到营收表现成长的机会。

然而在成熟制程方面,28nm情况则相对弱势,加上Legacy Node如40、55、65nm等纳米节点产品对转进28nm节点态度保守,也使得台系晶圆代工厂商在维持28nm成长表现的课题上面临挑战。

28nm产能利用率短期提升程度有限,厂商保守看待恢复期需1~2年

28nm制程过去为半导体制程技术突破的第一个分水岭,在产品在线取得相当大的成功,也让主要晶圆代工厂商规划不少产能。不过在16/14nm制程FinFET晶体管结构出现后,大幅提升芯片性能,加上由于终端应用如智能型手机、云端服务器等高端运算效能需求,使手机AP、GPUCPUASIC等芯片陆续往先进制程发展,让28nm制程失去不少原有的产品固守力道。

目前28nm节点在市场上处于供过于求状态,而从台积电与联电的纳米节点营收来看,近年在28nm部份面临占比下滑态势,尤其面临2019年半导体市场需求衰退下,伴随而来的是产能利用率迟迟难以提升,而主要晶圆代工厂商的产能利用率约6~7成,相较先进制程或更成熟的纳米节点有不小差距。

市场上提供28nm制程服务的主要厂商有台积电、联电、Samsung、GlobalFoundries、中芯国际等,另有华虹半导体小规模开发中。从产能分布来看,台积电、联电及Samsung在28nm方面约占总产能20~25%;GlobalFoundries、中芯国际与华虹半导体则占比不到2成,然由于陆系晶圆代工厂商积极追赶一线厂商,为提升芯片自给率的实力,28nm制程处于扩张阶段,未来占比有可能持续提升。

由此看来,陆系晶圆代工厂积极提升芯片国产化,将令28nm节点在既有市场的中低阶芯片需求供应分布产生变化,分散原本的代工集中度;在尚未出现明显新兴需求的提升下,28nm节点的市场复甦时间恐将拉长,从日前台积电执行长魏哲家认为28nm产能利用率或将需要2年时间恢复来看,可见一斑。

值得一提的是,分析主要IC设计厂商在28nm制程的投片状况,通讯联网类与射频相关产品约占近一半份额,搭上后续5G发展带动的趋势,估计能保持一定需求水平;然而在车用、IoT或其他终端应用装置上则需要新的机会点挹注,以更优化的技术吸引客户产品制程转移,考验晶圆代工厂商在研发策略与营运上的布局,后势发展需持续关注。

IoT、OLED相关需求后势看涨,或将助攻28nm制程技术转移

从现有市场需求分析,为提升28nm制程需求的动力,目标仍着重于提供技术上的优化与成本效益来吸引芯片设计厂商做制程转移,而目前可能做制程转移的应用领域有两方面,分别是IoT/穿戴装置与面板驱动IC。

首先在IoT方面,过去的IoT芯片功能大多以数据收集为主,功能单纯且需维持长时间使用并兼顾低价高量,因此多半集中在28nm以上的节点制造。

然而近年IoT与各项领域结合程度越来越高,5G与AI的推动让IoT有了进一步的技术需求,也让客户评估制程技术转移的可能性。台积电推出22nm节点N22-ULL(Ultra Low Leakage)设计,相较40ULP与55ULP能提供更好的功耗表现与更低漏电率,主要目标就是在IoT与穿戴装置的使用上,加大客户从40/55nm制程往28nm以下制程迈进的吸引力与信心,且由于22nm与28nm共享产线,将提升整体28nm的产能利用率,虽然目前量不多,但可望持续补充台积电N28nm节点战力。

另一方面,受惠OLED面板在更多的终端应用产品上渗透率持续上升,以及陆系OLED厂商产能陆续开出,OLED DDIC(面板驱动IC)市场也将成为新一波28nm的成长动能;过去OLED DDIC以40nm制程为主,但为了满足日后需求量上升,在既有40nm产能已满载而28nm产能出现空缺的情况下,晶圆代工厂商也积极与客户合作制程转移,期望能达到填补28nm缺口并囊括更多订单。

目前掌握到的情况是,韩系厂商的OLED DDIC已确定开发出28nm产品,并积极布局代工产线产能,甚至有海外委外代工消息传出,台系厂商受惠的机会不低,预计2020下半年有大量成长的可能性,因此从联电在2019年第三季法说会提到,28nm需求的恢复期可能落在3个季度后来看,或有一定程度的关联性。

整体而言,制程技术转移对28nm节点来说有相当程度的重要性,也是提升产能利用率的最有效方法,若技术转移进度良好,在2020年市场预计半导体需求回升的态势下,或将有28nm需求提前拉抬的机会。
责任编辑:wv

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