关于华虹宏力应对物联网低功耗和绿色节能趋势的措施介绍

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华虹宏力：新推工艺平台，应对物联网低功耗和绿色节能趋势

华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士表示，智能化与低功耗是物联网的核心，绿色节能是电源管理IC的核心。作为嵌入式非易失性存储器领域的领导企业，华虹宏力已在智能卡和物联网方面耕耘多年。我们成功推出了0.11微米ULL嵌入式闪存，该平台支持RF-CMOS设计，是物联网应用的最佳选择。此外，0.18微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台增强版（0.18 CE工艺平台增强版），采用业界最具竞争力的光罩层数，是目前市场上极具价格优势的MCU解决方案。这些解决方案均可为物联网的智能化与低功耗提供助力。0.5微米700V BCD平台在LED照明驱动的快速上量，证明是适合绿色节能的工艺平台技术。

OTP/MTP工艺平台增强版，兼顾MCU成本和功耗

MCU因为成本和低功耗在传感层和边缘网关设备中发挥重要作用。MCU生产厂商需要全方位为提供客户所需产品，其中具备数模混合电路，嵌入闪存的MCU受到特别重视。

技术论坛上，结合这个市场需求，华虹宏力介绍了该公司最新推出的低本高效0.18微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台增强版。

“它是在0.18微米低本高效OTP工艺平台的基础上研发升级而来，最大优势是通过利用第三方授权的OTP Cell，并依托自身经验丰富的嵌入式存储器IP设计、制造工艺和IP测试三方面的整合能力，可为客户提供优化的OTP IP，并实现更小的OTP面积、更高的速度、更低的功耗。在MTP解决方案中，客户通过MTPIP可以方便地在系统上反复修改设计程序，从而提升客户产品的功能及有效改善生产存货管理。作为OTP MCU的升级版，MTP可提供的容量由1Kx8位到8Kx16位，其IP面积极具竞争力，可应对客户多元化和高性价比的需求。” 孔蔚然说。

孔蔚然博士表示，通过这些改进，该工艺平台在成本、性能和功耗等诸多方面可以满足物联网应用的需求。

超低漏电嵌入式闪存工艺平台，满足超低功耗需求

除兼顾成本和功耗的MCU制造解决方案外，更令人感兴趣的是华虹宏力的0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台。物联网市场,对于先进工艺的需求并不是那么高，但对于低功耗却有甚高的需求。

“新推出的0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台支持低至1.08伏的操作电压，小于0.2pA/μm的超低漏电。动态功耗达25uA/MHz，静态功耗达50nA，可大幅提升电池寿命，延长物联网及可穿戴式设备的待机时间。该平台还具有逻辑单元集成度高，包含电源管理单元等特点，门密度达到300K gate/mm2以上，能够帮助客户进一步缩小芯片面积。”孔蔚然说。

该工艺平台的最大特点是可在同一工艺中集成射频、eFlash和EEPROM，24层光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC芯片，具备更小的面积、更低的功耗和更强的可靠性等显着优势，并降低设计、制造和测试成本。该工艺平台拥有丰富多样的嵌入式存储器IP，同时也提供高密度存储器编辑器和标准单元库，可为客户量身定制性价比优越、全面灵活的解决方案，加速客户产品上市时间。

基于该工艺平台生产的低功耗MCU适用于各种智慧节能型产品，例如物联网、可穿戴式设备、智能电网、嵌入式智能互联设备、医疗电子、照明，以及工业和汽车电子等方面的应用。

超高压BCD工艺，迎合节能环保热点

随着客户对绿色、节能和效率需求的日益增加，出色的电源管理IC技术显得尤为重要。华虹宏力超高压700V BCD技术迎合了节能环保热点，具有业内领先的低导通电阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特点，可为客户提供极具竞争力的单芯片解决方案。

新一代0.5微米700V BCD工艺是基于2013年第一代1微米700V BCD工艺升级开发而成，在保持原有1P1M（1层Poly，1层Metal）最少版次12块的低成本优势基础上，进一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中压LDMOS以及高压200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS，丰富了超高压电压系列选择，以满足不同电压应用需求。

“此工艺平台其所支持的高压小电流LED照明驱动应用市场发展前景十分广阔。我们将继续拓展先进的电源管理平台，增强应用于LED照明的先进差异化工艺技术组合，制造高性能、低成本的LED驱动IC，为客户提供一整套具成本效益的解决方案。” 孔蔚然表示。

该工艺平台适用于各种LED照明节能型产品以及电源适配器，后续在马达驱动应用等方面也会拓展开发系列工艺平台。

华虹宏力0.11微米嵌入式闪存工艺兼具低成本高可靠性

华虹宏力的0.11微米嵌入式闪存工艺采用24层光罩，极大地降低了晶圆的加工成本和生产时间；闪存单元面积仅为0.197平方微米，逻辑单元密度达300K/m2，在一片200mm晶圆上实现了约3.5万颗132K容量的SIM卡芯片；擦写次数达300K，具有非常高的可靠性；采用先进设计，支持单线测试，大大提高同测数。此外，该工艺技术支持铜线封装，可大大降低卡片成本，使其成为各种智能卡和MCU IC应用领域的低本高效解决方案之一。

编辑点评：华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域一直保持着业界领先地位。随着金融IC卡、移动支付和物联网的蓬勃发展，嵌入式闪存技术工艺拥有越来越大的需求空间。华虹宏力的0.11微米嵌入式闪存工艺作为华虹宏力0.18微米和0.13微米嵌入式闪存技术的延续，可提供一个兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化智能卡和MCUIC解决方案。